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萨科微slkor中压MOS管 SL60N10Q

SL60N10Q是N沟道MOSFET，具有100V漏源电压和47A的连续漏极电流。导通电阻为8mΩ，阈值电压为2.4V，适用于高功率应用。其DFN5x6-8封装提供优异的散热性能和紧凑设计，适合高效电源管理和电流开关电路。

该N沟道MOSFET具有100V漏源电压和47A的连续漏极电流，导通电阻仅为8mΩ，阈值电压为2.4V，适合高效功率开关应用。其DFN5x6-8封装提供优异的散热性能，支持紧凑设计，广泛应用于电源管理和大电流控制电路。

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产品名称：中压MOS管

型号：SL60N10Q

概述：

SL60N10Q 是一款 N 沟道 MOSFET，工作电压为100V，可承受最大漏电流47A，导通电阻(RDS(on))低至8mΩ@10V,20A。该器件的输入电容(Ciss)为2.55nF，反向传输电容(Crss)为12pF，栅极电荷(Qg)为29nC。此外，它还具有良好的温度特性，在-55℃~+150℃的温度范围内均可正常工作。

特性：

- N沟道MOSFET

- 漏源电压：100V

- 连续漏极电流：47A

- 导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V,20A

- 阈值电压(Vgs(th))：2.4V@250uA

- 栅极电荷(Qg)：29nC@4.5V

- 输入电容(Ciss)：2.55nF@15V

- 反向传输电容(Crss)：12pF@15V

- 工作温度范围：-55℃~+150℃@(Tj)

- 封装：DFN5x6-8

应用：

该产品可广泛应用于电源、DC-DC转换器、电机控制、照明等领域中。

注意事项：

1. 在使用之前，请仔细阅读产品手册中的使用说明和警告内容。

2. 请保持器件清洁，避免污染和静电损伤。

3. 请注意器件的最大电压和最大电流，不要超过其额定值。

4. 请在规定的温度范围内使用，避免过热或过冷的环境。

5. 请避免震动、振动和机械冲击，以免影响器件的性能和寿命。

关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。

名称

标题

说明

SL60N10Q.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

深圳市萨科微半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。