技术应用
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2SC1623 NPN 三极管:50V 耐压 0.1A SOT‑23 通用信号开关晶体管
2026-09-30 65
2SC1623 是采用 SOT-23 贴片封装的 NPN 型小信号三极管,该器件具备最高 50V 集电极-发射极耐压,0.1A 最大集电极电流,直流电流增益分为四档规格,具备 250MHz 特征频率,整体稳定性与可靠性优异,符合 RoHS 无卤要求,主要用于小信号放大、低速开关等电路,广泛应用在消费类电子各类信号处理场景中。 一、核心产品参数 测试条件均为环境温度 25 摄氏度,无特殊说明均遵循此条件。 极限参数 集电极-基极电压:60V 集电极-发射极电压:50V 发射极-基极电压:5.0V 最大集电极电流:0.1A 集电极耗散功率:200mW 存储温度范围:-55℃至 + 150℃ 结温范围:-55℃至 + 150℃ 结到环境热阻:417℃/W 击穿电压参数 集电极-基极击穿电压:60V,测试条件集电极电流 100 微安,发射极开路 集电极-发射极击穿电压:50V,测试条件集电极电流 1.0 毫安,基极开路 发射极-基极击穿电压:5.0V,测试条件发射极电流 100 微安,集电极开路 漏电流参数 集电极-基极截止电流最大 100nA,测试条件基极集电极电压 60V,发射极开路 发射极-基极截止电流最大 100nA,测试条件发射极基极电压 5.0V,集电极开路 直流电流增益 直流电流增益测试条件集电极电流 1.0 毫安,集电极-发射极电压 6.0V,按照增益分为 4 个档位:L4 档位 90-180,L5 档位 135-270,L6 档位 200-400,L7 档位 300-600。 饱和电压 集电极-发射极饱和电压最大 0.3V,测试条件集电极电流 100 毫安,基极电流 10 毫安 基极-发射极饱和电压最大 1.0V,测试条件集电极电流 100 毫安,基极电流 10 毫安 高频参数 特征频率典型值 250MHz,测试条件发射极电流 10 毫安,集电极-发射极电压 6.0V 封装信息 封装类型 SOT-23,单颗器件重量 0.008g,7 英寸卷带包装每卷数量 3000pcs。 二、产品核心特性 封装为 SOT-23 贴片塑料封装,塑封材料满足 UL94V-0 阻燃等级,产品符合 RoHS 标准并且实现无卤设计。 器件功率耗散 200mW,器件满足 MSL 等级 1,回流焊峰值温度最高可承受 260 摄氏度,适合贴片回流焊接工艺。 端子采用可焊性镀锡处理,满足对应军用标准可焊性要求。 拥有四档不同直流电流增益选型,工程师可以根据放大倍数需求挑选对应档位器件。 器件具备高稳定性与高可靠性,特征频率典型 250MHz,可满足中小频率小信号放大需求。 宽温度工作区间,存储与结温区间覆盖-55℃到 + 150℃,可以适应多数民用设备温度环境。 三、主要应用领域 小信号放大电路:各类消费电子设备内部微弱信号放大,音频前置放大等场景。 低速信号开关电路:IO 端口信号通断控制,小型继电器、指示灯驱动。 电源辅助电路:电源板内信号检测、电平转换电路。 家用电器、便携数码设备、主板附属电路等通用板卡,适合空间受限的贴片电路设计。 四、工程设计使用建议 器件实际使用时,电压、电流不允许超过文档标注极限参数,防止器件永久性损坏。 热设计方面,器件耗散功率会随着环境温度升高出现降额,需要结合热阻参数评估器件温升,高温环境下需要降低实际使用功率。 选型上根据电路需要的放大倍数,选择 L4 至 L7 对应档位,不要跨档位随意替换,避免放大电路增益偏离设计值。 开关应用场景,做饱和导通设计时,参考规格书 10 比 1 的集电极电流和基极电流配比,保障三极管充分饱和,降低导通压降。 焊接工艺上,该器件 MSL 等级为 1,不需要管控潮湿存储,回流焊峰值温度不可超过 260 摄氏度。 注意引脚定义,SOT-23 封装引脚 1 为基极,引脚 2 为发射极,引脚 3 为集电极,PCB 布局需要参考规格书推荐焊盘尺寸,保障贴片焊接良率。 高温条件下器件漏电流会增大,在高阻抗小信号电路设计时,需要考虑温度带来的参数漂移,预留设计余量。 五、产品总结 2SC1623 是 SOT-23 封装的 NPN 通用小信号三极管,拥有 50V 耐压,0.1A 电流规格,提供四档增益选择,具备不错的高频特性。器件封装小巧,焊接兼容性好,可靠性高,合规 RoHS 无卤标准。该器件定位通用信号放大和低速开关,适合消费电子、家电等大批量产品。设计时应当严格遵守器件极限参数,结合温度、增益档位、引脚定义完成电路与 PCB 设计,预留合理余量,保障整机长期稳定运行。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor肖特基二极管 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。 2SC1623至产品详细网页
萨科微 1SS181 二极管:80V 耐压 0.3A SOT‑23 高速开关二极管
2026-09-29 85
1SS181 是 SOT-23 封装的高速开关二极管,器件丝印标记为 A3,具备 80V 直流反向耐压,连续正向电流 300mA,拥有较低正向压降与很短的反向恢复时间,适合高频信号切换与小电流整流场景。 一、核心产品参数 器件引脚定义:1 脚阴极,2 脚阴极,3 脚阳极,全部电气参数测试基准环境温度为 25℃。 1.1 最大极限额定参数 非重复性反向峰值电压:85V 直流反向阻断电压:80V 连续正向电流:300mA 平均整流输出电流:100mA 器件耗散功率:150mW 器件结温:125℃ 存储温度范围:-55℃ ~ 125℃ 1.2 电气特性参数(环境温度 25℃) 反向击穿电压最小值 80V,测试条件反向电流 100μA 正向电压:正向电流 1mA 时典型值 0.61V;正向电流 10mA 时典型值 0.74V;正向电流 100mA 时典型值 0.92V,最大值 1.2V 反向漏电流:反向电压 30V 条件下最大值 0.1μA;反向电压 80V 条件下最大值 0.5μA 端子总电容:反向电压 0V、测试频率 1MHz 条件,典型值 2.2pF,最大值 4.0pF 反向恢复时间:典型值 1.6ns,最大值 4.0ns,测试条件正向电流与反向电流均为 10mA 1.3 封装标识信息 封装形式:SOT-23 器件本体丝印标记:A3 引脚分配:1 脚阴极,2 脚阴极,3 脚阳极 二、产品核心特性 采用 SOT-23 贴片封装,体积小巧,支持自动化贴片焊接,节约 PCB 板布局空间。 正向压降偏低,在不同正向电流工况下均可保持较低电压损耗,降低导通功耗。 反向恢复时间短,典型数值 1.6ns,拥有优异高速开关能力,适配高频工作条件。 反向漏电流数值小,能够减少电路静态损耗,适合信号处理电路。 工作温度覆盖-55℃至 125℃,可以适配消费类电子多数温度工作环境。 三、主要应用领域 高频信号开关电路,用于信号回路的单向隔离、信号钳位。 小电流整流电路,适合低功率信号回路整流处理。 保护电路,用于 IO 端口、信号输入端的静电以及浪涌防护。 消费电子设备,包含遥控器、便携式设备、小家电内部信号处理回路。 高频模拟电路,高频信号检波、限幅处理电路。 四、工程设计使用建议 功率与温度管控。器件最大耗散功率为 150mW,整机运行时实际功耗不可超过额定数值;环境温度升高,需要做好功耗降额,避免器件结温超出 125℃上限。 电压电流安全裕量。实际工作反向电压不可贴近 80V 直流阻断电压极限,不可施加超过 85V 的非重复性反向峰值电压。连续正向工作电流不宜长期运行在 300mA 极限,平均整流输出电流控制在 100mA 以内。 高速开关应用。该二极管反向恢复时间指标优秀,用于高频电路时,需要留意端子总电容带来的高频耦合影响。 反向漏电流影响。在高阻抗小信号电路,反向漏电流会带来信号偏移,设计时需要评估 0.1μA 至 0.5μA 等级漏电流对信号精度带来的影响。 引脚识别。封装 1 脚、2 脚同为阴极,3 脚为阳极,PCB 焊盘设计与焊接装配阶段,需要核对引脚定义,防止极性接反造成器件失效。 温度带来参数漂移。正向电压、反向漏电流会跟随环境温度发生变化,高温条件下反向漏电流会明显上升,整机设计时需要考虑参数漂移带来的电路性能变化。 五、产品总结 1SS181 为 SOT-23 封装高速开关二极管,具备 80V 耐压、300mA 连续正向电流,拥有低正向压降与纳秒级别反向恢复时间。该器件适合高频信号开关、小电流整流、信号限幅保护类电路。硬件设计过程中应当控制实际功耗、工作电压与电流,预留安全余量,同时确认引脚极性避免接反。在额定参数范围内使用,器件可以稳定完成信号隔离、检波、小电流整流以及端口保护等功能。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor肖特基二极管 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。 1SS181至产品详细网页
萨科微 SL3906 PNP三极管:40V耐压 0.2A SOT‑23 通用信号开关晶体管
2026-09-28 97
SL3906 是采用 SOT-23 封装的 PNP 型双极开关三极管,具备 40Vdc 耐压,最大连续集电极电流 200mA,拥有较宽直流电流增益以及良好开关性能。器件体积小巧,适配表面贴装制造工艺。 一、核心产品参数 器件引脚分配:1 脚为基极,2 脚为发射极,3 脚为集电极,电气参数测试基准环境温度为 25℃。 1. 最大极限额定值 集电极-发射极直流电压:-40Vdc 集电极-基极直流电压:-40Vdc 发射极-基极直流电压:-6.0Vdc 连续集电极电流:-200mAdc FR-5 板材,25℃条件总耗散功率:225mW;温度高于 25℃,功率降额系数 1.8mW/℃ 氧化铝基板,25℃条件总耗散功率:300mW;温度高于 25℃,功率降额系数 2.4mW/℃ 结到环境热阻:417℃/W 结温与存储温度范围:-55℃ ~ 150℃ 2. 关断特性电气参数 集电极-发射极击穿电压最小值:-40Vdc 集电极-基极击穿电压最小值:-40Vdc 发射极-基极击穿电压最小值:-6.0Vdc 基极截止电流最大值:-50nAdc 集电极截止电流最大值:-50nAdc 3. 导通特性电气参数(VCE=-1.0Vdc) 集电极电流-0.1mAdc,直流电流增益最小值 40 集电极电流-1.0mAdc,直流电流增益最小值 70 集电极电流-10mAdc,直流电流增益范围 100~300 集电极电流-50mAdc,直流电流增益最小值 60 集电极电流-100mAdc,直流电流增益最小值 30 集电极电流-10mAdc、基极电流-1.0mAdc,集电极-发射极饱和压降最大-0.25Vdc 集电极电流-50mAdc、基极电流-5.0mAdc,集电极-发射极饱和压降最大-0.4Vdc 基极-发射极饱和电压区间:-0.65Vdc ~ -0.95Vdc 4. 小信号电气参数 电流增益带宽乘积最小值:300MHz 输出电容最大值:4.0pF 输入电容最大值:8.0pF 1KHz 条件输入阻抗:1.0kΩ ~ 10kΩ 1KHz 条件小信号电流增益:100 ~ 400 噪声系数最大值:5.0dB 5. 开关时间参数 延迟时间最大值:35ns 上升时间最大值:35ns 存储时间最大值:225ns 下降时间最大值:75ns 6. SOT-23 封装尺寸(单位 mm) 器件总高度:0.900 ~ 1.150 本体长度:2.800 ~ 3.000 本体宽度:1.200 ~ 1.400 引脚间距典型值:0.950 引脚整体跨度:1.800 ~ 2.000 引脚弯折允许角度:0° ~ 8° 二、产品核心特性 小型化 SOT-23 表面贴装封装,占用 PCB 面积小,支持自动化贴片焊接,适合空间受限的硬件产品。 适配低压中小电流工作场景,40Vdc 耐压可以覆盖多数普通低压电路,200mA 连续集电极电流支持毫安级负载驱动;直流电流增益范围宽,可同时满足开关控制与小信号放大需求。 开关性能优良,电流增益带宽乘积可达 300MHz,延迟、上升、下降时间指标优异,适用于中速开关控制电路。 宽温度工作能力,存储与工作温度覆盖-55℃至 150℃,适配消费电子以及部分工业环境。 关断状态漏电流处于 nA 级别,有助于降低电路静态功耗。 三、主要应用领域 信号开关电路:用于低压信号通路切换,板级逻辑电平控制,便携式设备内部信号通断控制。 小电流负载驱动:通过三极管电流放大作用,利用主控 IO 端口驱动指示灯、微型蜂鸣器、小型继电器线圈等毫安级负载。 低频小信号放大:用于音频以及千赫兹等级模拟信号前置调理电路。 消费类电子产品:小家电、遥控装置、手持设备、充电配套产品的内部控制回路。 工业辅助电路:低压板卡辅助逻辑、传感器外围信号调理、板级辅助电源控制回路。 四、工程设计使用建议 功耗与温度降额设计。普通 PCB 设计优先采用 FR-5 板材对应的功耗参数;环境温度高于 25℃时,按照规格书降额系数下调允许功耗,避免器件结温超过 150℃上限。 电压、电流预留安全余量。实际工作电压不宜接近 40Vdc 极限耐压,集电极电流不要长期工作在 200mA 极限;发射极-基极之间电压不可超过-6.0Vdc,防止发射结击穿损坏器件。 开关饱和工况需要合理配置基极驱动电流,保证三极管进入饱和状态。基极驱动不足会让器件停留在放大区,引发异常发热,设计时需要评估饱和压降对负载工作电压带来的影响。 对关断速度有较高要求的开关电路,需要关注存储时间带来的延时,可以增设基极反向泄放回路改善关断性能。 PCB 布局与焊接。SOT-23 封装散热能力有限,可适度增大器件周边铜箔面积辅助散热;焊盘尺寸需要匹配 SOT-23 标准封装,保障贴片焊接可靠性。 小信号放大电路设计,应参考器件输入阻抗、噪声系数指标,结合信号源内阻完成电路匹配,获取理想的信号处理效果。 高低温工况下,三极管增益、饱和压降会发生参数漂移,整机设计阶段需要考虑该漂移对电路性能造成的影响。 五、产品总结 SL3906 为 SOT-23 封装 PNP 型开关三极管,既可以实现开关控制,也可以完成低频小信号放大。器件 40Vdc 耐压、200mA 额定电流以及对应的开关时间指标,适配大部分低压中小电流消费电子与工业辅助控制电路。受 SOT-23 贴片封装限制,器件散热能力有限,不适用于大功率应用。硬件设计阶段需要做好功耗降额、电压电流余量评估,合理设置基极驱动条件。该器件适合追求小型化、大批量贴片生产的电路,在器件额定参数范围内使用,能够稳定实现信号切换、小负载驱动以及低频信号放大功能。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor肖特基二极管 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。 SL3906至产品详细网页
萨科微 SL3904 NPN三极管:40V耐压 0.2A SOT‑23 通用信号开关晶体管
2026-09-24 169
SL3904 为 SOT-23 封装的 NPN 型塑料封装三极管,器件本体丝印为 1AM,可与 SL3906 实现互补配对。该器件具备通用三极管的电气性能,拥有合理的耐压、电流承载能力与高频响应能力,既支持小信号放大工作,也可以实现开关控制功能。 一、核心产品参数 极限参数测试环境为 25℃。集电极-基极最大耐压 60V,集电极-发射极最大耐压 40V,发射极-基极最大耐压 6V。集电极连续电流 0.2A,集电极耗散功率 0.2W。器件最大结温 150℃,储存温度范围-55℃~150℃。引脚定义:1 脚基极,2 脚发射极,3 脚集电极。 电气特性测试条件为 25℃。各类极间截止漏电流均维持在微安级别。指定测试条件下直流电流增益范围 100~400,器件还可依据增益划分不同档位。饱和状态下集电极-发射极饱和压降最大值 0.3V,基极-发射极饱和压降最大值 1V。特征频率最小值 300MHz,具备较好的高频信号处理能力。 二、产品核心特性 第一,采用 SOT-23 贴片封装,器件体积小巧,能够节省 PCB 板布局空间,适配贴片自动化焊接生产工艺。 第二,属于 NPN 型三极管,可与 SL3906 互补配对,便于搭建互补结构电路。 第三,温度适应范围较宽,储存温度覆盖-55℃~150℃,可以满足多数消费电子及普通民用设备的环境使用要求。 第四,直流电流增益区间较宽,能够适配小信号放大和开关控制两种工作模式。 第五,拥有 300MHz 的最低特征频率,可处理较高频率的信号。 第六,饱和导通状态下压降较低,作为开关使用时导通损耗小。 第七,关断状态极间漏电流低,器件截止时产生的静态功耗小。 三、主要应用领域 该器件属于通用型贴片三极管,大量应用在各类消费电子产品电路中。可实现小信号放大,完成微弱电信号的放大处理。可作为低速开关器件,实现电路通断控制。适用于信号切换电路以及电平转换电路。也可以用来驱动小型低功率负载,例如微型指示灯。同时可用于各类控制板、电源辅助回路等通用电子电路。 四、工程设计使用建议 电路设计时,器件实际工作的电压、电流以及功耗都需要低于规格书标注的极限参数,设计时预留足够安全余量,避免器件发生损坏。 发射极与基极之间耐压仅为 6V,电路设计与调试阶段需要重点关注,防止超出耐压造成发射结损坏。 直流电流增益会随工作电流、环境温度发生改变,开展放大电路设计不能直接使用标称增益进行方案设计,需要充分考虑工作点和温度带来的参数变化。 当做开关器件使用时,需要合理设置基极驱动条件,保证三极管可靠进入饱和状态,同时避免驱动电流过大带来额外损耗。 环境温度升高,器件允许的耗散功率会下降。高温使用场景下,需要降低器件实际功耗,控制器件结温,规避过热失效风险。 器件饱和压降、基极发射极电压会同时受到工作电流与温度的影响,设计阶段可参考规格书中的典型特性曲线,结合实际工作电流评估导通损耗。 PCB 设计需要匹配 SOT-23 封装标准焊盘,保障焊接可靠性,同时兼顾器件散热性能。 五、产品总结 SL3904 是 SOT-23 封装通用 NPN 贴片三极管,耐压与电流指标适配普通中小功率场景,高频性能良好,饱和导通损耗低,温度适应性良好。器件同时支持信号放大与开关控制两类应用,属于通用性较强的半导体分立器件。在实际工程应用中,需要严格管控器件实际工作条件,重视温度对电气参数的影响,设计预留合理余量,保障电路长期稳定运行。该器件能够满足大部分消费电子和通用控制电路的选型需求。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor肖特基二极管 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。 SL3904至产品详细网页
萨科微 SL10N65F N 沟道 MOSFET:650V 耐压 10A TO‑220F 高压功率场效应器件
2026-09-23 161
SL10N65F 是一款 TO-220F 封装的 N 沟道高压功率 MOSFET,漏源击穿电压 650V,25℃条件下连续漏极电流可达 10A。器件具备低栅极电荷、快速开关、优良抗电压变化速率能力,经过 100% 雪崩测试,适用于各类高频开关电源等电力电子设备,符合 RoHS 环保要求,广泛用于 LED 电源、电子镇流器等场景。 一、核心产品参数 1.1 极限额定参数,壳温 25℃漏源击穿电压 650V。连续漏极电流,壳温 25℃为 10A,壳温 100℃为 6.3A。脉冲状态漏极最大电流 40A。栅源之间可承受最高电压 ±30V。单脉冲雪崩能量 427mJ,重复雪崩能量 43mJ。器件最大耗散功率 41.8W,壳温超过 25℃后,每升高 1℃功率降低 0.33W。器件工作结温范围-55℃至 150℃;存储温度范围-55℃至 150℃;引脚焊接最高温度 300℃。1.2 关键电气特性,结温 25℃栅极开启阈值电压区间 2.5V 到 4.5V。导通状态电阻最大 0.94Ω。栅极总电荷典型数值 35nC。反向传输电容典型数值 22pF。内部本体二极管正向压降最大 1.5V。本体二极管反向恢复时间典型 511ns。热阻参数:结到外壳最大 2.99℃/W,结到环境最大 47.21℃/W。1.3 封装与订货信息器件采用 TO-220F 封装,一号引脚为栅极,二号引脚为漏极,三号引脚为源极。器件本体印记为 SL10N65F。供货形式为条管包装,器件重量典型 2.2g,该型号不属于无卤素产品。 二、产品核心特性 栅极总电荷低,能够降低驱动回路功率损耗,便于开展高频驱动电路设计。 反向传输电容数值低,可以减轻密勒效应带来的开关干扰。 开关响应速度快,适合各类高频的工作工况。 所有器件均完成雪崩项目测试,面对非钳位感性开关场景具备可靠耐受能力。 具备优秀的抗电压突变能力,降低电压瞬变引发器件误导通的风险。 产品符合 RoHS 环保相关标准 三、主要应用领域 高效率开关模式电源; 半桥架构电子整流器 / 电子镇流器; LED 驱动电源; 其他需要高压 N 沟道 MOSFET 的高频电力电子电路。 四、工程设计使用建议 散热设计:该器件结到环境的热阻较高,大功率工况下必须装配散热器,不可以依靠器件裸装进行自然散热。随着外壳温度升高,器件允许使用的连续电流会下降,实际设计需要按照整机运行的真实壳温做电流降额处理。 栅极驱动电路:栅极开启电压处于 2.5 V至 4.5 V区间,建议采用 10 V 驱动电压,以此获得标称导通电阻。驱动回路中需要设置合适的栅极电阻,抑制电压尖峰,避免器件误导通,同时兼顾开关损耗。栅源两端电压不能超过正负 30 V,防止栅极氧化层被击穿损坏。 感性负载与雪崩工况:器件可以承受雪崩工况,但实际应用的单脉冲、重复雪崩能量不能超过规格书给出的额定数值。应用在感性负载电路时,需要充分评估非钳位感性开关带来的冲击应力。 本体二极管使用说明:器件内部集成源漏本体二极管,但该二极管反向恢复时间偏长。如果电路对续流恢复损耗较为敏感,建议在外部额外增加快速恢复二极管。 电压电流裕量设计:实际工作电压、工作电流应当低于器件的极限额定值,预留充足的安全余量。器件导通电阻会随着芯片结温升高而变大,高温环境会带来更高的导通损耗,设计阶段需要考虑该因素。 焊接工艺管控:器件引脚焊接温度不可超过 300℃需要控制焊接时长,避免高温造成芯片内部损伤。 五、产品总结 SL10N65F 为 650V/10A 等级 N 沟道 TO-220F 封装 MOSFET,兼顾耐压、电流能力与高频开关性能,经过完整雪崩可靠性测试,适合中小功率高压开关电源、LED 电源等产品。设计时重点关注散热降额、栅极驱动配置、感性负载雪崩应力与体二极管反向恢复特性,合理留取电气安全裕量,保障整机长期稳定运行。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor肖特基二极管 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。 SL10N65F至产品详细网页
萨科微 SL7N65F 沟道 MOSFET:650V 耐压 7A TO‑220 高压功率场效应器件
2026-09-22 167
SL7N65F 为 N 沟道高压功率 MOSFET,提供 TO-220FT、TO-220C 两种通孔封装,器件耐压 650V,25℃壳温条件下连续漏极电流 7A。该 MOSFET 具备低栅极电荷、低反向传输电容 CRSS,开关速度优异,全部器件经过 100% 雪崩测试,拥有较强的抗 dv/dt 能力。器件适用于高频开关电源、半桥电子镇流器、LED 电源等电力变换场景,需要配合散热器使用来控制结温,保障功率变换电路稳定可靠运行。 一、核心产品参数 1.1 极限额定参数(壳温25℃) 漏源击穿电压:650V 连续漏极电流:25℃环境7A,100℃环境4.4A 脉冲漏极电流:28A 栅源最大电压:±30V 单脉冲雪崩能量:429mJ,重复雪崩能量:41mJ 耗散功率:TO-220FT封装27.9W;TO-220C封装147W;25℃以上功率分别按0.22W/℃、1.18W/℃降额 工作结温:-55℃~150℃;存储温度-55℃~150℃;引脚最高焊接温度 300℃ 1.2 关键电气参数(结温25℃) 栅极阈值电压:2.5V-4.5V 导通电阻:最大1.4Ω 总栅极电荷典型:30nC 反向传输电容典型:16pF 本体二极管正向压降最大1.4V 本体二极管反向恢复时间典型436ns 热阻:TO-220FT结到外壳最大4.47℃/W,结到环境最大49.5℃/W;TO-220C结到外壳最大0.85℃/W,结到环境最大60℃/W 1.3 封装订货信息 封装版本:SL7N65F为TO-220FT;SL7N65C为TO-220C;引脚定义统一:1-栅极,2-漏极,3-源极 器件丝印:SL7N65F / SL7N65C 包装:条管;器件重量:TO-220FT典型2.2g,TO-220C典型2.15g,均为非无卤素版本 二、产品核心特性 栅极总电荷低,可以降低驱动回路的功率损耗,便于高频驱动电路设计。 反向传输电容数值低,能够削弱密勒效应带来的开关干扰问题。 开关速度快,适配各类高频工作工况。 全部器件完成雪崩项目测试,在非钳位感性开关场景具备可靠耐受能力。 具备优秀的抗电压突变能力,减少电压瞬变造成器件误导通的风险。 产品满足 RoHS 环保相关标准。 三、主要应用领域 高效率开关模式开关电源; 基于半桥架构的电子灯镇流器; LED 驱动电源; 其他 650V 电压等级的功率变换电路。 四、工程设计使用建议 散热设计:TO-220FT 封装器件结到环境热阻数值很高,大功率工作条件必须加装散热器,不能依靠裸器件自然散热。TO-220C 封装散热性能更好,但大功率场景同样建议搭配散热结构。器件允许的工作电流会随着外壳温度升高而下降,实际设计需要按照设备运行时真实壳温完成电流降额。 栅极驱动电路:栅极开启电压在 2.5 伏到 4.5 伏区间,建议使用 10 伏驱动电压,获得标称导通电阻。驱动回路增加合适的栅极电阻,抑制电压尖峰,防止器件误导通,同时平衡开关损耗。栅源两端电压不可以超过正负 30 伏,避免栅极氧化层发生击穿损坏。 感性负载与雪崩工况:器件支持雪崩工作条件,实际应用中单脉冲和重复雪崩能量不能超过规格书给定的额定数值。使用在感性负载电路时,必须评估非钳位感性开关带来的冲击应力。 本体二极管使用说明:器件内部集成源漏本体二极管,但是二极管反向恢复时间较长。如果电路对续流恢复损耗比较敏感,建议外部增设快速恢复二极管。 电压电流裕量设计:实际工作电压、工作电流需要低于器件额定极限,预留足够安全余量。器件导通电阻会跟随芯片结温上升而变大,高温环境下导通损耗会随之增加,设计时需要考虑该因素。 焊接工艺管控:器件引脚焊接温度不能超过 300 摄氏度,控制焊接时长,防止高温损伤芯片内部结构。 五、产品总结 SL7N65 系列是耐压 650 伏、额定电流 7 安培的 N 沟道功率 MOSFET,提供 TO-220FT 和 TO-220C 两种封装选型。该系列兼顾耐压、电流能力与高频开关性能,经过完整雪崩可靠性验证,适合中小功率高压开关电源、LED 电源、电子镇流器等设备。硬件设计过程中,需要重点做好散热降额处理、栅极驱动参数配置、感性负载雪崩应力评估,同时关注内部体二极管的反向恢复特性,预留充足电气安全余量,保障整机能够长期稳定运行。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor肖特基二极管 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。 SL7N65至产品详细网页
萨科微 LM2576S‑5.0 DC‑DC 电源芯片:最大3A 固定5V输出
2026-09-21 202
LM2576S-5.0 为集成式降压开关稳压芯片,片内集成开关调节器与补偿网络,仅需搭配电感、续流二极管、输入输出电容即可搭建完整 DC-DC 转换电路。LM2576S-5.0 最大输出电流 3A;芯片具备电流限制、热关断保护以及使能控制功能,相比传统三端线性稳压器转换效率更高,可减小甚至省去散热片,为固定 5.0V 输出版本,也可基于同系列 ADJ 版本实现可调输出,适配工业、仪器、单片机供电等多类直流电源场景,提供 TO-220-5、TO-263-5 两种封装形式。 一、核心产品参数 输出能力:LM2576S-5.0 最大输出电流 3A。 输出电压:固定输出 5.0V;同系列可调版本输出范围 1.23V-35V, 输入电压:工作输入电压范围 4V-40V; 转换效率:5V 输出工况典型效率 82%,实际效率随输入电压、输出负载电流变化。 工作温度:工业级温度工作范围。 封装类型:TO-220-5 直插封装、TO-263-5 贴片封装。 保护参数:内置峰值电流限流保护、热关断保护,实现器件过应力防护。 基准电压:同系列可调版本内部参考基准典型值 1.230V。 二、产品核心特性 高集成度:芯片内部集成开关调节器、补偿网络、振荡器、保护逻辑,外围器件仅需电感、续流二极管、输入电容、输出电容,减少外部元器件数量。 高效率:开关架构对比线性稳压器功耗更低,多数工况可以取消散热片,降低整机体积。 完备保护机制:集成输出电流限流保护、热关断保护,在过载、短路、芯片过热条件下保护芯片不被损坏。 输出配置:LM2576S-5.0 为固定 5.0V 输出,同系列 ADJ 版本支持电阻分压调节,可覆盖 1.23V~35V 的输出电压需求。 外部使能控制:ON/OFF 引脚支持电平控制芯片开启与关断,关断状态下具备较低的待机静态电流。 宽输入适应性:4-40V 的宽输入电压,能够适配波动较大的直流供电电源。 多封装选择:TO-220-5 适合需要加装散热器的大功率应用,TO-263-5 贴片封装适合 PCB 紧凑布局。 三、主要应用领域 微控制器、单片机系统供电电源; 医疗设备内部直流供电模块; 工业设备电源; 仪器仪表供电电源; 各类需要将高压直流转换为 5V 低压直流的嵌入式设备。 四、工程设计使用建议 输入电压约束:实际输入电压必须高于输出电压至少 2V,同时不能超过芯片 40V 最大额定输入电压,防止芯片工作异常或损坏。 需匹配规格合适功率电感 L1 与续流二极管 D1,二极管应选用快恢复类型,承受足够反向耐压与峰值电流。 可调版本分压电阻:若选用同系列 ADJ 可调输出电路,R2 推荐采用 2kΩ 电阻,根据输出电压公式计算上分压电阻 R1 阻值,反馈分压电阻精度会直接影响输出电压精度。 散热设计:虽然开关芯片效率高,大输出电流工况、输入输出压差大的场景仍需要评估功耗;TO-220-5 封装在环境温度升高时,最大允许耗散功率会降额,必要时增加散热片。 使能引脚使用:ON/OFF 引脚高电平关闭芯片,低电平开启芯片;需要关注引脚输入电平阈值,避免电平处于模糊区间造成芯片工作不稳定。 PCB 布线要点:功率回路(输入电容、芯片、二极管、电感、输出电容)走线尽量短粗,减小开关噪声;反馈采样走线远离功率开关回路,降低开关噪声对输出电压精度的干扰。 极限工况:避免长时间工作在限流保护、热关断保护状态,保护功能仅作为故障防护,不能当做正常工作模式使用。 五、产品总结 LM2576S-5.0 是成熟的固定 5V 输出降压开关电源芯片,最大输出电流 3A,兼顾宽输入电压、使能控制、内置保护等功能,外围电路简单,相比线性稳压方案效率优势明显。 该芯片非常适合工业、仪器、嵌入式设备的 5V 直流降压供电设计,工程使用时需要重点注意输入压差约束、外围电感二极管选型、散热降额、PCB 功率回路布线,合理设计可以获得稳定可靠的 DC-DC 电源。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor肖特基二极管 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。 LM2576S-5.0至产品详细网页
萨科微 SL12010B 碳化硅肖特基势垒二极管:1200V 28A TO‑220‑2 功率半导体器件
2026-09-19 224
SL12010B 是萨科微推出的 TO-220-2 封装碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管,该器件具备 1200V 高反向耐压,25℃壳温条件下正向持续电流可达 28A。器件拥有零反向恢复电流、开关特性几乎不受温度影响、高工作结温等碳化硅器件固有优势,适合高频高压功率变换场景,广泛用于 PFC 变换器、逆变器、开关电源、太阳能升压电路。 一、核心产品参数 1.1 极限额定参数,壳温 25 摄氏度 反向重复峰值电压 1200 伏,直流反向峰值电压 1200 伏。 正向持续直流电流,壳温 25 摄氏度为 28 安培,壳温 150 摄氏度为 10.5 安培。 正向不重复浪涌峰值电流,正弦半波条件下为 55 安培。 器件耗散功率,壳温 25 摄氏度为 153 瓦,壳温 150 摄氏度为 25 瓦。 存储温度范围零下 55 摄氏度至 175 摄氏度。 工作结温范围零下 55 摄氏度至 175 摄氏度。 1.2 关键电气特性,结温 25 摄氏度 正向电压,电流 10 安培、结温 25 摄氏度时最大 1.8 伏;电流 10 安培、结温 175 摄氏度时最大 3 伏。 反向漏电流,反向电压 1200 伏、结温 25 摄氏度时最大 50 微安;反向电压 1200 伏、结温 175 摄氏度时最大 175 微安。 器件总电容,随反向电压升高而降低,反向电压 1 伏时典型 575 皮法,反向电压 400 伏时典型 59 皮法,反向电压 800 伏时典型 42.5 皮法。 总存储电荷,反向电压 800 伏条件下典型 62 纳库。 1.3 热阻参数 结到外壳热阻最大 0.98 摄氏度每瓦。 1.4 封装与引脚信息 封装形式 TO-220-2。 一号引脚为阴极,二号引脚为阳极,器件外壳和阴极相连。 器件型号印记为 SL12010B。 二、产品核心特性 高耐压高结温:1200V 耐压,最高结温可达 175℃,耐受高温工况。 优异高频开关能力:零反向恢复电流、零正向恢复电压,开关性能几乎不受温度影响,开关损耗低。 正温度系数 VF:结温升高正向电压增大,多管并联不易发生热失控。 抗浪涌能力强:可承受 55A 短时浪涌电流,抵抗瞬时电流冲击。 低存储电荷:小,开关噪声低,降低 EMI。 TO-220-2 功率封装:可装配散热器,外壳阴极等电位,适合大功率设备。 三、主要应用领域 太阳能升压器,作为升压回路整流器件 逆变器反并联续流二极管 维也纳三相 PFC 整流变换器 大功率 AC-DC 变换器高压整流、续流 工业高频开关电源 四、工程设计使用建议 电压降额:工作电压需预留安全余量,避免电压尖峰击穿器件。 电流功率降额:壳温升高,允许电流、功耗需要降额,结温不可长期接近 175℃上限。 散热装配:TO-220-2 外壳与阴极等电位,散热器务必做好绝缘;使用导热硅脂减小接触热阻。 并联扩流:VF 正温度系数支持并联,保证布线阻抗、器件温度均衡,优化均流。 高温漏电流:高温会显著增大反向漏电流,需要评估由此带来额外发热。 故障防护:具备短时浪涌能力,但无法承受长时间短路,需增加熔断器等保护。 引脚核对:外壳为阴极,2 引脚为阳极,防止阴阳极接反造成器件直接损坏。 五、产品总结 SL12010B 是 1200V/28A 的 TO-220-2 碳化硅肖特基二极管。对比传统硅快恢复二极管,它具备零反向恢复、高结温等优势,大幅降低高频开关损耗,适合光伏、三相 PFC、逆变器、大功率开关电源等高压大功率场景。实际工程中需要做好电压、电流、功率降额,重视散热绝缘设计,配套合理保护电路,保障系统长期稳定运行。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor肖特基二极管 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。 SL12010B至产品详细网页
萨科微 SS26B 肖特基势垒二极管:SMB 封装 60V 2A 表面贴装肖特基器件
2026-09-18 266
SS26B 属于 SS22B-SS210B 系列表面贴装型肖特基势垒二极管,采用 SMB(DO-214AA)塑封封装,额定平均正向整流电流 2.0A,最大重复反向峰值电压 60V。器件采用保护环管芯结构,适配自动化 SMT 贴装,具备低功耗、高效率特性,适用于低压整流、续流与开关变换电路。测试基准为单相半波 60Hz 阻性 / 感性负载;容性负载应用,额定电流需降额 20%。 一、核心产品参数 测试条件:环境温度 TA=25℃(未特殊说明) 最大重复反向峰值电压:60V 最大有效值电压:42V 最大直流阻断电压:60V 平均正向整流电流:2.0A(单相半波 60Hz 阻性 / 感性负载) 非重复正向浪涌电流:50.0A(JEDEC 8.3ms 单半正弦波) 正向压降:0.70V @ 2A 反向直流电流:0.5mA@25℃,20mA@100℃ 典型结电容:220pF(1MHz,4V 直流反向偏置) 结-环境热阻:75℃/W(PCB 焊盘 5.0×5.0mm 铜箔) 工作结温:-65℃ ~ +125℃ 存储温度:-65℃ ~ +150℃ 封装:SMB (DO-214AA),镀锡端子;阴极以色带 / 缺口标识,重量约 0.093g 二、产品核心特性 肖特基势垒芯片搭配保护环管芯,提升反向耐压稳定性,降低漏电流失效风险。 SMB 表面贴装封装,适配 SMT 自动化组装,适合电路板紧凑型布局。 正向压降低,导通损耗小,电源转换效率高,适配低压变换电路。 优异浪涌耐受能力,可承受 50A 短时非重复浪涌,抵御上电冲击电流。 宽温工作能力,工作结温-65℃~+125℃,适配消费、工业多类温度环境。 结电容低,满足中高频开关整流电路使用需求。 三、主要应用领域 开关电源、适配器:低压回路整流、续流 DC-DC 变换电路:低压大电流拓扑辅助整流、续流 消费电子:家电、便携设备电源次级整流 工业控制板卡:信号整流、电源防反接保护 车载低压电子单元:车载设备内部整流、续流 四、工程设计使用建议 负载降额:额定电流基于阻性 / 感性负载;容性负载工况,电流降额 20% 使用。 温度降额:环境温度升高需降低工作电流,参考器件正向电流降额曲线。SS26B 属于 SS25B-SS210B 组别,具备更高高温降额阈值。 PCB 散热:热阻测试条件为 5.0×5.0mm 铜焊盘,设计尽量加大焊盘铜箔,严格控制结温不超过 125℃。 浪涌约束:50A 为 8.3ms 非重复浪涌极限,不可持续施加;多次浪涌循环需参考浪涌-循环次数曲线评估寿命。 高温漏电流:反向漏电流随结温显著上升,高温应用需核算反向功耗,规避异常发热。 高频设计:结电容随反向电压变化,高频应用参考结电容曲线评估开关损耗。 装配焊接:焊接参照 MIL-STD-750 Method 2026,确认阴极标识,避免极性反接损坏器件。 五、产品总结 SS26B 为 SMB 封装 2A/60V 肖特基二极管,带保护环芯片结构,兼顾导通损耗、耐压与浪涌耐受,适配自动化贴片,多用于低压整流与续流开关电路。实际项目中需根据负载、环境温度做好电流降额与 PCB 散热,将结温控制在规格范围内,保障设备长期可靠运行。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 SS26B 至产品详细网页
萨科微 SL7550-8 线性稳压器:100mA 2.5~5V 固定输出 LDO 线性稳压器
2026-09-17 230
SL75xx 系列是 Slkor(萨科微)推出的固定输出型 LDO 线性稳压器,具备多输出电压档位,可提供 2.5V 至 5.0V 多种固定输出电压,支持 SOT23-3、TO92、SOT89 多种封装形式。器件依靠内部误差放大器完成输出稳压,抑制输入电压与环境温度波动对输出的影响。本文从产品参数、核心特性、应用领域、工程设计要点等方面对该系列器件进行梳理,为硬件电路设计选型与实际应用提供参考依据。 一、核心产品参数 输出电压配置 该系列提供 2.5V、3.0V、3.3V、3.6V、4.4V、5.0V 多档固定输出电压,型号后缀 x 代表封装版本。 封装与本体丝印 器件支持 SOT23-3、TO92、SOT89 三种封装,不同封装对应本体丝印分别为 75xx-3、75xx-9、75xx-8,可通过丝印快速识别封装规格。 器件功耗计算说明 器件功耗计算公式为 PD=(VIN-VOUT)×IOUT,实际应用功耗不可超过对应封装的最大允许功耗,否则会造成器件损坏。参数测试基准环境为 25℃。 封装尺寸说明 SOT23-3、SOT89 具备完整官方尺寸规范,PCB 设计需严格参考原厂封装图纸,保证焊接装配可靠性。 二、产品核心特性 稳压工作原理 器件采用稳压控制机制,内部设置误差放大器,将分压获取到的反馈电压 Vfb 和内部基准电压 Vref 进行比对,动态调整输出晶体管的栅极电压,以此削弱输入电压波动、环境温度变化引发的输出漂移,实现稳定的固定电压输出。 多档位电压适配能力 产品拥有多电压档位,电压区间覆盖 2.5V 到 5.0V 的常用直流供电电压,能够适配不同后端芯片的供电需求。 多封装形态兼容 同时提供多种封装选择,包含 SOT23-3 小型贴片封装、SOT89 贴片封装以及 TO92 直插封装,既可以满足小型化贴片布线需求,也能够适配直插手工焊接的应用场景。 内置环路补偿设计 器件内置相位补偿电路,可配合输出电容的 ESR 参数完成环路补偿,能够简化外部补偿电路的设计工作。 三、主要应用领域 消费电子设备供电 SL75xx 系列属于固定输出 LDO 器件,适用于中小电流条件下的芯片供电场景,可应用在消费类电子产品当中,为 MCU、传感器以及逻辑芯片提供低压供电。 工业小型控制模块 也可以用于工业小型控制模块,充当板载辅助电源。 检测仪表子系统供电 同时可作为仪表、检测设备内部子电路的供电器件。 电池类设备电压转换 在电池供电设备中,能够把较高的电池电压转换为稳定的固定低压。 四、工程设计使用建议 输出电容选型要求 器件内部相位补偿需要输出电容 ESR 参与,输出端对地必须接入容量大于 2.2μF 的电容器,保障环路工作稳定。 输入输出电容布局要点 输入端与输出端均建议选用 10μF 有极性电容,布局阶段尽量将电容靠近 LDO 的 VIN、VOUT 引脚,降低引线寄生电感以及寄生电阻带来的不良影响,优化电路瞬态响应以及抗干扰能力。 功耗与热工况评估 设计时需要通过 PD=(VIN-VOUT)×IOUT 计算器件实际功耗,实际功耗不得超过所选封装对应的最大允许功耗。当电压压差较大或者输出电流偏大时,需要核对封装热相关参数,防止器件过热损毁。 器件选型与物料核对 采购和焊接环节需要核对器件本体表面丝印,确认输出电压以及封装版本,避免出现型号错用情况。 PCB 封装绘制规范 PCB 封装绘制工作应当严格参照官方发布的 SOT23-3、SOT89、TO92 尺寸图纸,保障焊接的可靠性。 五、产品总结 产品整体定位 SL75xx 系列为面向通用应用场景的固定输出 LDO 线性稳压器,电压档位覆盖 2.5V 至 5.0V,多种封装规格可以匹配不同空间条件、不同焊接工艺的硬件设计需求。 设计约束要点 器件依靠内部误差放大环路完成稳压工作,外围电路配置较为简洁,但同时对外围电容选型、布局布线、功耗散热都存在明确约束。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 SL7550-8 至产品详细网页
SL7544‑8 线性稳压器:36V 宽输入小型贴片 LDO 芯片
2026-09-16 233
SL7544-8 属于萨科微 SL75xx 系列 LDO 线性稳压器,采用 SOT23-3 小型贴片封装,具备-0.3V~+36V 超宽输入电压工作范围,能够适配多种供电输入条件。芯片内部集成误差放大器以及相位补偿电路,通过基准电压与反馈分压网络做对比调节,有效抵消输入电压波动、环境温度变化带来的影响,维持输出电压稳定可靠。 一、核心产品参数 封装:SOT23-3 引脚定义:1-GND(地),2-VIN(输入),3-VOUT(输出) 输入电源电压范围:-0.3 V ~ +36 V 工作环境温度:-40 ℃ ~ +85 ℃ 储存温度范围:-45 ℃ ~ +140 ℃ 热阻 θJA(无气流、无散热片):500 ℃/W 最大功耗 PD (Ta=25℃):0.2 W 补充同系列其他封装参考:SOT89、TO92 热阻 200 ℃/W,最大功耗 0.5 W 二、产品核心特性 属于 SL75xx 系列线性稳压器,内部集成误差放大器与相位补偿电路; 通过内部基准电压与反馈分压网络对比调节输出,输出电压不受输入电压波动、温度变化影响,输出电压稳定; 支持宽输入电压,最高输入电压可达 36 V; 提供 SOT23-3 小型表面贴装封装,适合紧凑型 PCB 布局; 依靠输出电容 ESR 实现环路补偿,外围电路简洁。 三、主要应用领域 - 消费类电子产品电源稳压 - 便携式设备供电电路 - 工业控制辅助电源 - 各类板载次级低压稳压电路 四、工程设计使用建议 输出端必须对地外接容量大于 2.2 µF 的电容,器件内部相位补偿需要输出电容 ESR 配合,否则会影响环路稳定性。 输入、输出端口建议搭配 10 µF 极性电容,电容摆放尽量靠近芯片 VIN、VOUT 引脚,优化滤波效果。 严格控制芯片实际功耗,功耗计算公式:PD=(VIN-VOUT)×IOUT,实际功耗不可超过对应封装最大额定功耗,功耗超标会造成芯片永久损坏。 设计时需要结合封装热阻、环境温度综合评估最大允许输出电流,防止过热失效。 五、产品总结 SL7544-8 是 SL75xx 系列 SOT23-3 封装的 LDO 线性稳压器,具备宽输入电压范围,依靠内部误差放大器实现稳定输出,抑制输入与温度带来的电压扰动。采用小型 SOT23-3 贴片封装,占用 PCB 面积小。使用时需要严格搭配指定外围电容,并做好功耗校核,适合消费电子、便携设备、工控辅助电源等低压稳压场景。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 SL7544-8 至产品详细网页
萨科微 MSB30M 桥式整流器:3A 1000V 表面贴装单相整流桥堆
2026-09-15 252
在中小功率 AC-DC 电源转换、家电供电、LED 驱动、电池充电等电路系统中,桥式整流器承担着交流输入转直流输出的核心功能,贴片式整流桥凭借体积小巧、可自动化贴装的特点,成为紧凑型电源设计的主流选择。萨科微 MSB30M 是一款单相表面贴装桥式整流器(采用标准 MSB 封装),额定平均正向整流电流 3A(在单相全波 60Hz 阻性/感性负载下测试),反向重复峰值耐压 1000V。具备优异的正向浪涌电流耐受能力(8.3ms 单半正弦波下可达 80A)、低反向漏电流与宽温工作特性,是各类中小功率 AC-DC 电源、家电供电及 LED 驱动等紧凑型电源设计的理想整流方案。 一、核心产品参数 器件类型:单相桥式整流器 额定平均正向整流电流(IF (AV),单相全波 60Hz,阻性 / 感性负载):3A 反向重复峰值电压(VRRM):1000V 峰值正向浪涌电流(IFSM,8.3ms 单半正弦波,JEDEC 标准方法):80A 工作结温范围:-55℃ ~ +150℃ 封装形式:MSB 表面贴装封装 二、产品核心特性 1、3A 额定载流,宽温降额特性清晰 器件额定平均正向整流电流达 3A,覆盖多数中小功率电源的整流输入需求。针对单相全波 60Hz、阻性或感性负载场景提供明确的温度降额曲线,可根据实际工作环境温度合理匹配输出功率,保障全温域内运行的可靠性,适配多种类型的负载电路。 2、高浪涌耐受能力,抵御开机冲击 具备出色的正向浪涌电流耐受能力,遵循 JEDEC 标准方法测试,在 8.3ms 单半正弦波条件下可承受较高的峰值浪涌电流,能够有效抵御电源开机瞬间的电流冲击,降低启动尖峰对整流器件的损坏风险,提升整机电源系统的耐用性。 3、低反向漏电流,高温性能稳定 器件反向漏电流控制表现优异,常温下保持较低的漏流损耗;在 125℃高温工况下反向特性稳定,漏电流增幅可控,可适应不同环境温度下的工作需求,降低高温下的额外功耗。 4、全桥集成结构,简化电路设计 将四颗整流芯片集成于单一封装内,构成完整的单相桥式整流结构,替代分立式二极管搭建的整流电路,有效减少元器件数量,节省 PCB 布局空间,降低设计与装配成本,提升电路集成度与生产一致性。 5、紧凑型贴片封装,适配自动化量产 采用标准 MSB 表面贴装封装,器件体积小巧,引脚布局规整,适配标准 SMT 回流焊工艺与自动化贴装设备,焊接一致性好,生产效率高,适合规模化批量生产,满足现代电子产品小型化、高密度的设计需求。 三、主要应用领域 MSB30M 凭借均衡的电气性能与紧凑的贴片封装,广泛应用于各类中小功率 AC-DC 整流场景:小功率开关电源、电源适配器、LED 驱动电源、小家电电源板、电池充电器、消费电子整流单元、工业辅助电源、照明供电电路等。 四、工程设计使用建议 散热设计:根据实际工作电流、占空比与环境温度设计散热方案,可通过 PCB 铺铜提升散热能力,确保器件工作结温处于合理范围内,提升长期运行稳定性。 电压裕量:实际应用中建议保留合适的电压裕量,避免长期工作在接近额定耐压的工况,降低电网浪涌带来的击穿风险。 焊接工艺:适配标准回流焊工艺,焊接参数需符合器件温度耐受规范,避免长时间超温焊接,防止器件性能漂移与封装损伤。 负载降额:容性负载应用场景下,建议对正向电流进行适当降额设计,保障器件运行安全。 PCB 布局:交流输入与直流输出走线尽量对称,减少寄生参数影响,保证各桥臂电流分配均衡。 五、产品总结 萨科微 MSB30M 是一款性能均衡的 3A 1000V 贴片式单相整流桥,集成全桥结构,具备稳定的载流能力、优异的浪涌耐受与低漏流特性。紧凑型贴片封装适配自动化量产与小型化设计,可广泛适配各类中小功率电源整流电路,是消费电子、工业辅助电源等场景中兼顾可靠性与成本的高性价比整流器件。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 MSB30M 至产品详细网页
萨科微 SL4057 线性锂电池充电器:SOT23-6 封装 500mA 单节锂电恒流恒压充电芯片
2026-09-14 253
在便携式消费电子、小型智能终端等电池供电产品中,充电管理芯片的集成度、充电精度、功耗表现与封装体积,直接决定设备的充电安全性、续航体验与整机小型化程度。传统线性充电方案外围器件多、集成度低,占用 PCB 空间大,难以适配便携产品的紧凑设计需求。萨科微 SL4057 是一款专为单节锂离子电池设计的恒流 / 恒压线性充电器,采用 SOT23-6 微型封装,内置功率 MOSFET 与防倒充电路,无需外接检测电阻与隔离二极管,支持最高 500mA 可编程充电电流,搭载热调节、自动再充电、多重保护等功能,外围器件精简,适配 USB 与适配器供电场景,是便携式电子设备高集成度的锂电池充电解决方案。 一、核心产品参数 器件类型:单节锂离子电池线性充电器 输入电源电压(VCC):4.0V ~ 6.5V 预充电压:4.24V,精度 ±1% 最大可编程充电电流:500mA 涓流充电阈值电压:2.9V 待机模式静态电流:25μA(典型值) 睡眠模式电池漏电流:≤1μA 工作环境温度范围:-40℃ ~ 85℃ 热调节触发结温:135℃ 封装形式:SOT23-6 二、产品核心优势 1、高集成度设计,精简外围电路 芯片内部集成功率 MOSFET、电流检测电路与防倒充隔离二极管,无需外接检测电阻、功率管与隔离器件,大幅减少外围 BOM 元件数量,节省 PCB 布局空间,降低整体方案成本,尤其适配空间受限的便携式电子产品设计。 2、完整充电流程,智能热调节控制 支持涓流预充、恒流充电、恒压充电完整三阶段充电模式:电池电压低于 2.9V 时以小电流涓流预充,上升至阈值后进入恒流快充,接近满电时切换为恒压浮充,充电电流降至设定值 1/10 时自动终止充电。内置热反馈环路,当芯片结温超过 135℃时自动调节降低充电电流,在避免过热损坏的同时最大化充电速率,适配大功率充电场景。 3、高精度充电电压,可编程充电电流 内置高精度电压基准与分压网络,预充电压 4.24V 精度可达 ±1%,匹配锂离子与锂聚合物电池的充电要求。充电电流可通过 PROG 引脚外接电阻灵活设置,最高支持 500mA,可根据不同容量电池匹配对应充电速率,适配性广泛。 4、低功耗待机,多重保护机制 待机模式下静态电流低至 25μA,输入电压断开时进入睡眠状态,电池端漏电流低于 1μA,有效降低待机损耗,延长电池静置时间。同时集成欠压锁定、软启动浪涌电流限制、电池反接保护、电池欠压保护等多重防护机制,提升充电系统的运行可靠性。 5、双状态指示,自动再充电 配备 CHRG、STDBY 两路开漏状态输出引脚,可直观显示充电中、充电完成、无电池故障等多种工作状态,支持外接 LED 指示或连接主控芯片检测。内置自动再充电功能,充电完成后 监控电池电压,当电压降至再充电阈值时自动开启新的充电周期,使电池保持接近满电状态,无需额外触发控制。 6、微型贴片封装,适配便携场景 采用 SOT23-6 超小型表面贴装封装,器件体积紧凑,支持标准 SMT 自动化贴装工艺,焊接一致性好,适配高密度、紧凑型 PCB 布局,广泛匹配各类小型便携式电子设备的结构设计需求。 三、主要应用领域 凭借高集成度、精简外围、高精度充电与完善保护的特性,SL4057 广泛应用于各类单节锂电池供电的便携产品:移动电话、PDA、MP3/MP4 播放器、数码相机、电子词典、蓝牙耳机、GPS 导航仪、便携式智能终端、小型锂电池充电器等。 四、工程设计使用建议 充电电流配置:通过 PROG 引脚与地之间的外接电阻设置充电电流,可根据电池容量选择对应阻值,2kΩ 对应 500mA、5kΩ 对应 200mA,设计时可参考规格书参数匹配选型。 外围器件选型:VCC 输入端与 BAT 电池端建议分别搭配 1μF~10μF 的陶瓷电容,滤除电源纹波,稳定充电电压与电流。 散热优化:大电流充电场景下,可通过 PCB 铺铜增加芯片散热面积,提升 充电能力,充分发挥热调节功能的性能上限。 状态指示设计:CHRG 与 STDBY 为开漏输出结构,应用时需外接上拉电阻,可直接驱动 LED 或连接 MCU 的 IO 端口实现状态采集。 保护设计:芯片自带电池反接保护,设计时仍需注意输入电压不超过 6.5V 上限,避免超压损坏器件;输入电源走线建议做适当加宽,降低线损对充电精度的影响。 五、产品总结 萨科微 SL4057 是一款高度集成的单节锂离子电池线性充电芯片,采用 SOT23-6 微型封装,内置功率管与检测电路,外围器件精简,具备 ±1% 的充电电压精度、500mA 可编程电流与完整的三阶段充电流程。搭载热调节、自动再充电、多重状态指示与全面保护功能,兼顾充电性能、功耗表现与设计便捷性,是各类便携式消费电子锂电池充电场景中高性价比的国产芯片方案。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 SL4057 至产品详细网页
萨科微 FDV305N N 沟道 MOSFET:SOT-23 封装 20V 低压小功率沟槽型场效应管
2026-09-11 235
在便携式消费电子、锂电池保护、小型负载开关、低功耗电源管理等电路设计中,小功率 MOSFET 的导通损耗、开关速度、驱动兼容性与封装尺寸,直接影响设备的续航表现与整机小型化程度。萨科微 FDV305N 是一款采用沟槽工艺的 N 沟道功率 MOSFET,搭载 SOT-23 微型表面贴装封装,漏源击穿电压达 20V,连续漏极电流 0.9A,具备低导通电阻、低栅极电荷、低压驱动兼容等特性,适配各类低压小功率控制场景,是便携电子与小型电源系统高性价比的功率开关器件。 一、核心产品参数 器件类型:N 沟道沟槽型功率 MOSFET(TrenchFET) 漏源击穿电压(VDS):20V 栅源电压(VGS):±12V 导通电阻(RDS (on)):220mΩ(最大值,VGS=4.5V,ID=0.9A);300mΩ(最大值,VGS=2.5V,ID=0.7A) 连续漏极电流(ID,TC=25℃):0.9A 脉冲漏极电流(IDM):2.0A 最大功耗(PD,TC=25℃):0.35W 栅极阈值电压(VGS (th)):0.6V~1.5V 总栅极电荷(Qg):典型值 0.8nC 最高工作结温(TJ):150℃ 存储温度范围:-50℃~155℃ 封装形式:SOT-23 表面贴装 二、产品核心优势 1、沟槽工艺架构,导通损耗低 采用 TrenchFET 沟槽型功率 MOSFET 工艺,优化器件导通特性,在 4.5V 栅极驱动下导通电阻典型值仅 170mΩ,可有效降低导通状态下的功率损耗,提升电路能量转换效率,适配低压小电流工作场景。 2、低栅极电荷,开关响应快 器件总栅极电荷典型值为 0.8nC,搭配纳秒级的开关延迟与上升 / 下降时间,开关速度快、动态损耗小,可适配高频开关工作模式,满足小型电源管理与负载开关的快速切换需求。 3、低压驱动兼容,适配多类控制信号 栅极阈值电压范围为 0.6V~1.5V,在 2.5V 低栅压下即可实现有效导通,兼容 1.8V、2.5V、3.3V、4.5V 等多种低压控制电平,可直接由 MCU、PMIC 等低压主控芯片驱动,适配便携设备的低压系统架构。 4、微型贴片封装,助力产品小型化 采用 SOT-23 超小型表面贴装封装,器件体积紧凑,占用 PCB 布板空间少,支持标准 SMT 自动化贴装工艺,焊接一致性好,适合高密度、紧凑型的电路设计,匹配便携式电子产品的小型化需求。 5、低漏流特性,待机功耗低 零栅压下漏极电流与栅极漏电流均处于较低水平,可降低电路待机状态下的静态功耗,适配电池供电的便携设备,有助于延长产品续航时间。 三、主要应用领域 FDV305N 凭借低压驱动、低损耗、小封装的特性,广泛应用于各类低压小功率控制场景:、便携式设备负载开关、USB 电源开关、小型电源管理模块、可穿戴电子设备、消费电子小功率控制电路、电池供电系统的功率切换电路等。 四、工程设计使用建议 驱动匹配:推荐采用 4.5V 栅极驱动电压以获得最优导通性能;若使用 2.5V 及以下低压驱动,需关注导通电阻上升带来的损耗增加,校核载流能力是否满足设计需求。 温度降额:实际应用中需结合环境温度、散热条件与工作占空比进行电流降额设计,确保器件工作结温不超过 150℃,保障长期运行可靠性。 PCB 布局:功率回路走线建议适当加宽,优化器件散热路径;栅极驱动走线尽量短,减少寄生参数对开关速度的影响。 静电防护:MOSFET 为静电敏感器件,生产、存储与装配过程中需落实防静电操作规范,避免栅极静电击穿。 体二极管应用:内置源漏体二极管可用于小电流续流场景,若存在较大反向电流冲击,需结合实际工况校核二极管参数。 五、产品总结 萨科微 FDV305N 是一款面向低压小功率场景的 N 沟道沟槽型 MOSFET,采用 SOT-23 微型封装,具备20V最大耐压和最大0.9A电流,搭配低导通电阻、低栅极电荷、低压驱动兼容等特性,参数均衡、体积小巧,可广泛适配负载开关、便携设备电源管理等应用,是小功率低压控制电路中高性价比的国产功率器件选择。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 FDV305N 至产品详细网页
萨科微 S2M 通用整流二极管:SMA 封装 1000V 2A 表面贴装硅整流器件
2026-09-10 250
在开关电源、电源适配器、家电控制板、LED 驱动等电力电子电路中,整流二极管承担着交流转直流的核心功能,表面贴装型器件在产品小型化、自动化量产中的优势愈发突出。萨科微 S2M 是一款采用 SMA 封装的表面贴装通用硅整流二极管,搭载玻璃钝化芯片结,反向重复峰值耐压达 1000V,最大平均正向整流电流2A,具备低反向漏电流、高浪涌耐受能力,符合无铅 RoHS 标准,适配高密度贴片生产,是中小功率整流场景中高可靠性的国产器件选择。 一、核心产品参数 器件类型:表面贴装通用硅整流二极管 反向重复峰值电压(VRRM):1000V 直流阻断电压(VDC):1000V 平均正向整流电流(IF (AV)):2A 峰值正向浪涌电流(IFSM,8.3ms 半正弦波):50A 正向压降(VF,@2A):1.1V 反向漏电流(IR,@25℃额定电压):5μA 典型结电容(CJ):25pF 热阻(RθJA):65℃/W 工作结温与存储温度范围:-55℃ ~ +150℃ 封装形式:SMA 表面贴装塑封 二、产品核心优势 1、玻璃钝化芯片结,性能稳定可靠 采用玻璃钝化芯片结工艺,有效优化器件反向特性与高温稳定性,反向漏电流控制表现优异,可降低长期工作中的性能漂移,提升器件运行的可靠性,适配长时间通电的整流类应用场景。 2、1000V 耐压与 2A 载流,覆盖主流整流需求 器件反向重复峰值电压达 1000V,支持最大平均正向整流电流2A,可满足多数中小功率离线电源、电源适配器的桥式整流、单管整流需求,适配交流输入侧的高压整流工况,场景适用范围广泛。 3、高浪涌耐受能力,抵御开机冲击 峰值正向浪涌电流可达 50A(8.3ms 单半正弦波条件),可承受电源开机瞬间的冲击电流,降低启动电流尖峰带来的器件损坏风险,提升整机系统的长期耐用性。 4、SMA 低剖面贴片封装,适配自动化量产 采用 SMA 低剖面表面贴装封装,器件体积小巧,节省 PCB 布板空间,适配高密度电路设计;器件形态易拾取贴装,支持标准 SMT 回流焊工艺,符合欧盟 RoHS 无铅指令,适配规模化自动化生产。 5、宽温工作范围,环境适配性强 支持 - 55℃至 + 150℃的工作结温区间,可适应不同地域与工况的温度波动,兼顾低温启动与高温满载运行需求,在消费电子、工业辅助电源等各类场景中均可稳定工作。 三、主要应用领域 凭借均衡的电气性能与可靠的贴片封装品质,S2M 广泛应用于各类中小功率整流场景:开关电源、AC/DC 电源适配器、电池充电器、LED 驱动电源、家电控制板整流单元、小家电电源模块、工业辅助电源输入整流、信号整流电路、逆变器前端整流等。 四、工程设计使用建议 焊接工艺:适配标准回流焊工艺,焊接参数需符合器件温度耐受条件,避免长时间超温焊接,防止器件性能漂移与封装损伤。 电压裕量:实际应用中建议保留合理的电压裕量,避免长期工作在接近额定耐压的工况,降低浪涌电压带来的击穿风险。 散热设计:根据实际工作电流、占空比与环境温度设计散热方案,确保器件结温处于规定范围内,提升长期运行稳定性。 负载降额:容性负载应用场景下,建议对正向电流进行 20% 降额设计,保障器件运行安全。 PCB 布局:建议按照推荐焊盘尺寸设计 PCB 封装,保证焊接可靠性与器件散热效果。 五、产品总结 萨科微 S2M 是 SMA 封装的 1000V 2A 表面贴装通用硅整流二极管,采用玻璃钝化芯片结工艺,具备稳定的反向特性、高浪涌耐受能力与宽温工作性能。低剖面贴片封装适配自动化量产,符合 RoHS 环保要求,参数均衡、工艺成熟,可广泛适配各类中小功率电源与整流电路,是表面贴装整流场景中兼顾可靠性与成本的优质国产器件。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 S2M 至产品详细网页
萨科微 SM4007PL(A7)通用整流二极管:SOD-123 封装 1000V 小功率塑封整流器件
2026-09-09 322
在小功率开关电源、消费电子适配器、LED 驱动、电池充电等电路中,整流二极管承担交流转直流、反向阻断的核心作用,器件的耐压水平、漏电流表现、浪涌耐受能力与封装可靠性,直接影响电源系统的运行稳定性与整机寿命。萨科微 SM4007PL(市场型号 A7)是一款通用型塑封整流二极管,采用 SOD-123 微型塑封封装,标称重复峰值反向电压 1000V,具备低反向漏电流、高正向浪涌耐受、耐高温焊接等特性,适配各类小功率整流场景,是消费电子与工业小电源领域高性价比的整流器件选择。 一、核心产品参数 器件类型:通用塑封整流二极管 标称重复峰值反向电压(VRRM):1000V 标称直流阻断电压(VDC):1000V 平均正向整流电流(IO (AV),TA=75℃):1.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 典型正向压降(VF,@1.0A):1.1V 典型反向恢复时间(trr):30μs 工作结温范围(TJ):-50℃ ~ +175℃ 封装形式:SOD-123 塑封 二、产品核心特性 1、1000V 耐压等级,适配通用整流场景 标称 1000V 反向耐压,覆盖多数小功率离线电源、适配器的整流输入需求,可用于单管整流、桥式整流等多种拓扑,适配交流输入侧的高压整流工况,场景适用性广泛。 2、低反向漏电流,降低待机损耗 器件反向漏电流水平低,在额定阻断电压下保持较小的漏流损耗,有助于降低电源系统待机功耗,提升整机能量利用效率;同时高温工况下漏电流增幅可控,保障高温环境下的整流性能。 3、高浪涌耐受能力,抵御开机冲击 具备 30A 峰值正向浪涌电流耐受能力,可承受电源开机瞬间的冲击电流,降低启动尖峰带来的器件损坏风险,提升整机长期运行的可靠性。 4、高可靠塑封工艺,适配批量生产 采用无空洞模塑塑料工艺,塑封体达到 UL 94V-0 阻燃等级,安全性能优异;支持 250℃/10 秒高温焊接条件,适配标准波峰焊与回流焊工艺,可焊性符合相关标准,适合自动化 SMT 批量生产。器件采用轴向引线设计,安装位置灵活,整体体积小巧、重量较轻,适配紧凑型 PCB 布局。 5、宽结温工作范围,环境适配性强 支持 - 50℃至 + 175℃的工作结温区间,可适应不同地域与工况的温度波动,兼顾低温启动与高温满载运行需求,在消费电子、工业辅助电源等场景中均可稳定工作。 三、主要应用领域 SM4007PL(A7)凭借均衡的电气性能与可靠的塑封品质,广泛应用于各类小功率整流场景:小功率开关电源、电源适配器、手机充电器、LED 驱动电源、电池充电电路、家电控制板整流单元、小家电电源模块、信号整流电路、工业辅助电源输入整流等。 四、工程设计使用建议 焊接规范:焊接过程参考 250℃/10 秒的高温焊接条件,避免过长时间高温焊接,防止塑封体损伤与器件性能漂移。 电压裕量:实际应用中建议保留合适的电压裕量,避免长期工作在接近标称耐压的工况,降低浪涌电压带来的击穿风险。散热设计:1.0A 电流等级下可结合实际占空比设计散热方案,确保器件结温处于规定范围内,提升长期运行稳定性。 并联应用:多管并联使用时,建议筛选参数一致性较好的器件,必要时搭配均流措施,保障电流分配均衡。 存储与操作:器件为塑封半导体器件,存储与装配过程中注意防潮与机械应力,避免引脚变形与塑封体破损。 五、产品总结 萨科微 SM4007PL(A7)是一款 SOD-123 封装的通用型塑封整流二极管,具备 1000V 反向耐压、1.0A 正向整流能力与 30A 浪涌耐受能力,搭配低反向漏电流、高可靠阻燃塑封与宽温工作特性,参数均衡、工艺成熟,可广泛适配各类小功率电源与整流电路,是小功率整流场景中兼顾可靠性与成本的国产器件选择。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 SM4007PL A7 至产品详细网页
萨科微 SL15T65FK IGBT 单管:TO-263 封装 15A 工业级电机控制功率器件
2026-09-08 235
在工业电机驱动、变频调速、小型逆变器等电力电子系统中,IGBT 器件的耐用性、开关特性、温升表现与抗干扰能力,直接影响整机运行的稳定性与使用寿命。萨科微 SL15T65FK 是一款面向工业控制场景的 IGBT 单管,采用 TO-263 封装,集电极 - 发射极耐压 650V,壳温 100℃条件下 集电极电流 15A,25℃环境下额定功耗 182W,支持 - 40℃~175℃宽结温工作区间,搭配正温度系数饱和压降、软快恢复反并联二极管与低电磁干扰特性,适配电机控制逆变器等工业场景,是中小功率工业传动系统高性价比的功率开关选择。 一、核心产品参数 器件类型:IGBT 单管(内置反并联二极管) 集电极 - 发射极电压(VCE):650V 集电极电流(IC@TC=100℃):15A 总功耗(PD@TC=25℃):182W 工作结温范围(TJ):-40℃ ~ 175℃ 封装形式:TO-263 二、产品核心优势 1、高耐用性设计,适配工业长周期运行 针对工业电机控制等 运行场景优化器件结构与制造工艺,提升器件抗冲击能力与长期工作可靠性,可适配频繁启停、负载波动的工业工况,保障设备长时间稳定运行。 2、VCE (sat) 正温度系数,并联均流表现优异 饱和压降具备正温度系数特性,器件温度升高时饱和压降随之上升。多管并联应用时可自动均衡各器件电流,降低电流偏置带来的局部过热风险,提升多管并联系统的运行稳定性。 3、软恢复快速反并联二极管,降低开关应力 内置反并联二极管,具备软恢复特性与较快的恢复速度,可有效抑制反向恢复过程中的电压尖峰与电流冲击,降低器件开关应力,同时减少二极管恢复过程带来的损耗,提升整机能量转换效率。 4、低电磁干扰特性,优化系统 EMC 表现 开关过程特性平缓,可有效降低电路中的 di/dt、dv/dt 幅值,减少电磁干扰的产生,降低系统 EMC 滤波设计难度,适配对电磁兼容要求较高的工业控制场景。 5、宽结温工作范围,环境适配性强 支持 - 40℃至 175℃结温工作区间,可适应不同工况下的温度波动,在机箱内部温升较高的环境中仍可稳定工作,兼顾低温启动与高温重载运行需求。 6、TO-263 贴片封装,散热与装配适配性好 采用 TO-263 表面贴装功率封装,金属散热基底可直接贴合 PCB 散热区或外接散热器,热传导路径短,散热效率优异;同时适配自动化 SMT 贴装工艺,适合批量工业化生产。 三、主要应用领域 SL15T65FK 凭借耐用性、优异的二极管特性与低干扰优势,主要应用于各类中小功率电机控制与逆变场景:工业电机驱动变频器、伺服驱动器、小型逆变电源、家电变频控制器、电动工具调速电路、光伏微型逆变器、UPS 电源功率级等。 四、工程设计使用建议 电压裕量:实际应用中建议保留合适的电压裕量,避免长期工作在接近额定耐压的工况,降低浪涌电压带来的击穿风险。 散热设计:TO-263 封装需根据实际工作电流与占空比匹配对应散热方案,确保器件结温处于规定范围内,提升运行可靠性。 驱动匹配:选用合适的栅极驱动参数,平衡开关速度与电磁干扰水平,兼顾器件损耗与系统 EMC 表现。 并联应用:多管并联时可利用器件正温度系数特性,优先筛选参数一致性较好的器件,保障均流效果。 二极管应用:内置反并联二极管可用于续流场景,若需承受较大反向电流冲击,需结合实际工况校核二极管参数。 五、产品总结 萨科微 SL15T65FK 是 TO-263 封装的工业级 IGBT 单管,具备 650V 耐压、15A@100℃载流能力与 175℃结温上限,搭配正温度系数饱和压降、软快恢复反并联二极管与低电磁干扰特性,耐用性表现突出,适配电机控制逆变器等各类中小功率工业电力电子场景,是国产功率器件中兼顾性能与成本的可靠选择。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110硅快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供绝对保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 SL15T65FK 至产品详细网页
萨科微BFR360F高频低噪声射频三极管:SOT-323微波信号放大器件
2026-09-07 222
在无线通信、微波振荡、射频接收、有线电视信号处理等高频电路系统中,器件的噪声表现、频段适配性、信号线性度与寄生参数,对整机信号传输质量与运行稳定性有着关键影响。普通通用三极管高频性能有限,信号噪声偏高、结寄生参数偏大,难以适配GHz频段微弱信号的放大需求。萨科微BFR360F是一款NPN型硅微波射频三极管,采用SOT-323微型贴片封装,适配小电流高频工作场景,匹配3.3V~5V常规直流供电体系,可广泛应用于高频放大、微波振荡等电路场景,是民用高频射频电路适配性优异的国产器件。 一、核心产品参数 器件类型:NPN高频射频三极管 集射极耐压(VCEO):6V 工作电流(IC):35mA 耗散功率(PD):300mW 集电极发射极饱和电压(VCE(sat)):6V 特征频率(fT):12GHz 封装形式:SOT-323 二、产品核心特性 1、优良低噪声射频性能 该器件在1.8GHz工作频段下,噪声系数约为1.0dB,噪声控制表现良好,可有效弱化射频电路的背景噪声干扰,清晰放大微弱高频信号,提升射频接收电路的信号还原度与接收灵敏度,适配各类精密高频信号处理场景。 2、宽频段高频工作适配性 具备12GHz特征频率,高频响应性能出色,可稳定完成4.0GHz及以下频段振荡电路的信号放大工作,覆盖主流民用射频、微波工作频段,可兼顾信号放大、电路振荡、信号混频等多种电路功能,场景适配维度丰富。 3、优质电气参数,信号输出稳定 器件具备低漏电流、小结电容的电气特性,能够弱化高频工作状态下的信号损耗与相位偏移问题,搭配适中的动态范围与良好的电流线性度,信号传输过程中失真度低,输出波形平稳,保障高频电路持续稳定运行。 4、适配常规低压供电系统 适配3.3V~5V集电极直流供电电压,贴合消费电子、小型无线设备、物联网模块的主流供电架构,搭配35mA常规工作电流,适配小电流持续工作模式,适配各类轻量化、低功耗高频电路设计。 5、微型封装,适配小型化量产设计 采用SOT-323超小型贴片封装,器件体积紧凑,占用PCB布局空间少,支持SMT自动化贴装工艺,焊接稳定、适配量产生产节奏。依托萨科微成熟量产工艺,器件参数一致性良好,可实现同型号进口器件的引脚对引脚替换,供货稳定,性价比突出。 三、主要应用领域 凭借良好的高频性能、低噪声表现与稳定的线性输出特性,萨科微BFR360F广泛应用于各类民用高频微波电路场景,包含有线电视信号放大模块、卫星电视调谐接收电路、无线对讲机射频单元、无绳电话通信模块、雷达感应电路、无线遥控与数据传输模块、RFID射频识别系统、光纤通信信号放大电路,以及各类VHF、UHF频段的放大器、振荡器、混频器、检波器电路,适配3.3V~5V供电的小型高频无线设备。 四、工程设计应用建议 工况匹配:该器件适配小电流、低压高频工作场景,设计应用时需贴合额定电压、电流与功率参数运行,保障器件长期工作稳定性。 PCB布局优化:高频电路对布线较为敏感,射频输入、输出走线建议短直规整,做好阻抗匹配设计,降低寄生参数对高频信号的干扰。 电源降噪处理:电源引脚搭配高频去耦电容,过滤电源杂波,规避数字电路噪声串扰,保障射频信号纯净度。 静电防护:高频半导体器件对静电较为敏感,生产焊接与装配过程中需落实规范防静电操作,避免静电损伤器件性能。 五、产品总结 萨科微BFR360F是一款适配民用高频场景的NPN射频三极管,依托12GHz特征频率、1.0dB@1.8GHz低噪声、良好的电流线性度与小结电容特性,可满足4GHz以内微波信号放大与振荡需求。器件适配3.3V~5V常规低压供电,搭配SOT-323微型贴片封装,兼顾性能、体积与实用性,广泛适配各类小型无线高频设备,是民用射频小信号电路设计中适配性优异的国产替代器件。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110硅快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供绝对保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 BFR360F至产品详细网页
萨科微 PAM8403 D 类音频功率放大器:高效率立体声贴片功放芯片
2026-09-05 297
在蓝牙音箱、便携播放器、笔记本、小家电语音提示等消费音频产品中,功放芯片的转换效率、发热水平、外围器件数量、供电适配能力,直接决定整机音质、续航与 PCB 布局难度。传统 AB 类功放发热大、效率偏低,需要搭配较多外围元器件,不利于小型化产品设计。萨科微 PAM8403 是一款无滤波器 D 类立体声音频功率放大器,采用 SOP-16 贴片封装,单通道输出功率可达 3W,支持-0.3V~5.5V 宽电压输入,具备低静态电流、16μA 关断待机电流,工作温度覆盖-40℃~85℃,凭借高效率、低发热、外围极简的特性,是电池供电音频设备高性价比国产功放方案。 一、核心产品参数 器件类型:D 类立体声音频功率放大器 供电电压(VDD):-0.3V~5.5V 工作环境温度(TA):-40℃~85℃ 单通道输出功率(Po):3W 工作静态电流(IDD):6.3mA 关断待机电流(ISD):16μA 封装形式:SOP-16 二、产品核心优势 1、无滤波器 D 类架构,简化硬件设计 采用免输出低通滤波器架构,可直接驱动扬声器,省去传统 D 类功放必需的输出滤波器件,大幅减少外围 BOM 元器件数量,节约 PCB 布板面积,降低整机物料成本,缩短产品开发周期。 2、转换效率高,发热低,延长电池续航 功放效率最高可达 90%,相比 AB 类功放功率损耗显著降低,芯片发热量小,多数工况无需额外散热片,适合锂电池、USB 5V 供电的便携设备,有效提升设备续航时间。 3、宽电压适配,兼容主流供电系统 电压范围2.2V-5.5V,完美适配 3.7V 锂电池、USB5V 电源,广泛匹配各类便携消费电子的供电体系。内置关断控制引脚,关断模式下待机电流仅 16μA,进一步降低闲置功耗。 4、低失真低噪声,还原清晰音频效果 低总谐波失真 THD+N,输出音质干净,底噪小,立体声双声道输出,能够满足小音箱、语音播报设备的音频播放需求。芯片内置短路保护、过热关断保护功能,遇到异常工况自动保护芯片,提升整机可靠性。 5、SOP-16 标准贴片封装,便于批量生产 SOP-16 表贴封装,适配 SMT 自动化贴片生产,焊接工艺成熟,尺寸紧凑,适合高密度 PCB 设计。萨科微 PAM8403 经过大批量量产验证,参数一致性好,可 pin-to-pin 兼容进口同型号芯片,供货稳定,解决进口器件交期长成本高的痛点。 三、主要应用领域 广泛用于蓝牙便携音箱、笔记本电脑音频输出、显示器 / 电视伴音、便携 DVD、游戏机、对讲机免提、小家电语音提示器、智能玩具、DIY 音频模块、USB 供电小型音响、物联网语音播报终端等各类小功率立体声音频场景。 四、工程设计使用建议 电源设计:供电电压不要超过 5.5V,电源引脚就近放置滤波电容,抑制电源噪声,改善音频底噪。 负载匹配:推荐搭配 4Ω-8Ω 扬声器,5V 供电 4Ω 负载条件下可实现 3W 输出功率。 关断引脚:SHUTDOWN 关断引脚可由 MCU 控制实现休眠,闲置时进入关断模式降低功耗。 PCB 布线:功率输出走线尽量短且粗,音频输入走线远离功率走线,减少干扰,避免引入杂音。 保护机制:芯片自带短路、热关断保护,仅为故障防护,不可长期工作在短路状态。 温度工况:工作温度区间-40℃~85℃,不要超出规格范围使用。 五、产品总结 萨科微 PAM8403 是 SOP-16 封装 3W 双通道 D 类音频功放芯片,2.2V-5.5V宽电压,静态电流 6.3mA,关断电流 16μA,-40℃~85℃宽温工作。无滤波器架构、高效率低发热、外围元件少,兼顾音质与功耗,非常适合 USB 及电池供电的各类小型立体声音频设备,是消费音频领域经典的国产替代功放芯片。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110硅快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供绝对保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 PAM8403至产品详细网页
萨科微 SL1719SH 单 S 极霍尔传感器:纳安级超低功耗磁控开关器件
2026-09-04 213
在电池供电的便携电子产品、IoT 物联网终端、小家电、无线探测设备当中,非接触式磁检测开关对器件待机功耗、磁极识别抗干扰、长期续航能力有着严苛要求。机械触点开关容易磨损、氧化,会带来寿命短、误触发等问题。萨科微 SL1719SH 是一款单 S 极响应微功耗霍尔开关传感器,采用 TO-92S 直插封装,仅感应 S 极磁场,平均工作电流低至 0.9μA,25Hz 间歇扫描工作模式,最高 5.5V 供电电压,凭借极低待机功耗、定向磁极检测、稳定开关输出的特性,是电池类产品实现非接触位置检测、开合判断的高性价比国产传感芯片。 一、核心产品参数 器件类型:单 S 极霍尔开关传感器 感应极性:单 S 极(仅对 S 极磁场触发) 供电电压(VDD):5.5V 平均工作电流(IDD):0.9μA 扫描频率:25Hz 封装形式:TO-92S 二、产品核心优势 1、单 S 极定向感应,抗干扰能力强 芯片仅识别 S 极磁场信号,N 极磁场不会触发动作,可以规避环境杂散磁场、磁铁装反带来的误触发,适合产品预先固定磁铁极性的设计场景,提升整机检测可靠性深圳市萨科...。 2、纳安级超低功耗,延长电池续航 采用间歇休眠-唤醒扫描机制,平均工作电流仅 0.9μA,静态功耗极低,大幅降低电池设备的电量消耗,有效延长干电池、锂电池产品的整机续航时间,适合长期电池供电设备。 3、25Hz 低速扫描,适配位置开合检测 25Hz 扫描采样频率,专为低速状态检测设计,满足开合、限位、有无磁铁接近等状态判断;不适合高速磁场变化场景,在低功耗探测类产品上表现优异。 4、TO-92S 直插封装,装配调试便捷 TO-92S 标准直插三脚封装,焊接工艺成熟,组装简单,便于手工焊接与插件批量生产,兼容传统通孔 PCB 设计,替换老式簧片开关十分方便。 5、宽电压适配,输出稳定可靠 最高支持 5.5V 工作电压,适配锂电池、3.3V/5V 主控系统,内置温度补偿电路,高低温环境下开关点漂移小,输出信号稳定,CMOS 推挽输出可直接对接 MCU 引脚,无需额外上拉电阻。 6、国产成熟方案,供货稳定 萨科微 SL1719SH 经过量产验证,参数一致性好,ESD 防护性能优秀,可 pin-to-pin 对标国外同规格单 S 极低功耗霍尔,解决进口器件交期长成本高的痛点,适合大批量消费类项目落地。 三、主要应用领域 SL1719SH 依靠单 S 极感应、微功耗、直插封装的特点,广泛用于各类电池供电设备:充电仓开合检测、小家电磁吸开关、智能门锁、阀门位置检测、水表气表流量计、无线门磁探测器、IoT 低功耗传感节点、玩具限位感应、便携检测仪器、各类非接触式接近开关等场景。 四、工程设计使用建议 磁极匹配:该型号只响应 S 极,硬件设计务必使用 S 极朝向芯片感应面,N 极无法触发输出,磁铁装配方向需要重点确认。功耗与频率:器件为 25Hz 间歇扫描,只能做低速状态检测,磁场快速变化场景不建议选用。电源设计:供电不要超过 5.5V,电源引脚就近增加滤波电容,抑制电源噪声干扰。 输出使用:推挽输出,不要外接上拉电阻,直接连接单片机 IO 口读取电平信号。磁铁距离:合理规划磁铁与芯片之间距离,保证磁场强度达到芯片工作阈值,避免出现触发不稳定。 温度工况:工作温度-40℃~+85℃,不要超出温度范围使用。 五、产品总结 萨科微 SL1719SH 是 TO-92S 封装单 S 极低功耗霍尔开关传感器,5.5V 最大供电电压,0.9μA 超低工作电流,25Hz 扫描频率;只响应 S 极磁场,抗杂磁干扰,功耗表现优异,非常适合电池供电产品做非接触开合、位置检测,是机械开关、干簧管理想的国产替代器件。 萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石 萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110硅快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对"稳健可靠,精益求精"产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的"先锋",更需要像DSK110这样在关键位置提供绝对保障的"基石"。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。 萨科微slkor主营产品图 萨科微slkor荣誉资质和科研成果 关于萨科微slkor: 宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、肖特基二极管、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、可控硅等产品。 SL1719SH至产品详细网页

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