服务热线
新闻资讯
新闻资讯
碳化硅MOS管（SiC-MOSFET）的特征
2024-04-23
1331
下图通过与Si功率元器件的比较，来说明SiC-MOSFET的耐压范围。
目前SiC-MOSFET的应用范围通常是耐压在600V以上，尤其是1kV以上。下面将1kV以上的SiC-MOSFET与当前主流的Si-IGBT进行比较，看看它的优势。相对于IGBT，SiC-MOSFET在开关关断时降低了损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。与同等耐压的SJ-MOSFET（超级结MOSFET）相比，SiC-MOSFET的导通电阻更小，可以减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
下表是600V～2000V耐压的功率元器件的特征汇总。
注：雷达图的RonA为单位面积的导通电阻（表示传导时损耗的参数），BV为元器件耐压，Err为恢复损耗，Eoff为关断开关的损耗。
相关推荐
2026年全球磷化铟衬底供需缺口超70%（萨科微9月30日芯闻）
2026-09-30
124
武汉光谷将建6G产业试验片区，预计明年建成（萨科微9月29日每日芯闻）
2026-09-29
92
萨科微在华强北已经有两家直营店了，为什么还要开第三家？
2026-09-29
272
同芯会青年篮球队获得“鸿兴渝泰杯”2026川渝篮球联赛亚军（萨科微9月28日芯闻）
2026-09-28
93
芯片知识科普：第3章 芯片设计流程：从想法到图纸
2026-09-28
137
粤公网安备44030002007346号