激光二极管芯片结构-萨科微半导体

LD芯片结构

法布里-珀罗型LD是由n/p包层、夹在包层之间的有源层(发光层) 和2片镜片端面构成。

由于包层材料的禁带宽度比有源层宽，因此将载体（电子和空穴）能量性的封闭起来。并且，由于包层材料的折射率比有源层小，因此光也封闭在有源层内。(与光纤的原理相同)

有源层和包层由纳米级可控的外延生长生产，条形(电极)以微米级可控的光刻法制作。

法布里-珀罗型LD:

一种最简单的激光二极管的结构。

外延生长:

薄膜结晶生长技术的一种，在原有晶片上进行生长，使之以电路板结晶面一致的结晶排列生长。

光刻法:

一种将涂敷了感光性物质的表面曝光，利用曝光部分和未曝光部分生成图案的技术。