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萨科微1200V 规格的碳化硅 MOS 管,是否具备过压关断的控制功能?

2026-03-19 165
有的,比如萨科微SL87N120A碳化硅MOS管,规格书标注了VDS最大1200V,阀值电压Vth参数项中,明确了Tj=25度时候最小值1.8V,说明栅极电压低于1.8V时候,MOSFET处于关断状态。当栅极电压VGS=0时远低于阀值电压,因此器件完全关断。关断时的漏极漏电流5uA(典型值)在工程上就代表该器件已经可靠关断了。


这一特性在实际应用中具有重要意义。5μA的漏电流在1200V高压应力下,相当于器件呈现出高达240兆欧的等效关断电阻,这种接近理想开关的阻断特性使得器件能够将静态功耗控制在毫瓦级别。特别是在三相并网逆变器、充电桩模块等高母线电压场景中,这种可靠的关断能力为系统效率和安全运行提供了基础保障。稳定的关断特性也确保多个器件并联时不会因漏电流差异产生环流问题。因此,SL87N120A所展现的这一参数组合,是碳化硅材料宽禁带优势在工程实践中的具体体现。

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  深圳市萨科微半导体有限公司(www.slkormicro.com)2015年由宋仕强先生所创办,是一家集设计研发、生产制造、系统解决方案与销售服务于一体的综合性企业。依托强大的研发平台,萨科微Slkor现已推出2000多款产品,包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列,构建了覆盖多元应用场景的完善产品矩阵。在电源管理芯片领域,萨科微DC-DC电源芯片以高效率和稳定性备受市场青睐,热销型号如LM2596S-5.0、LM2596S-ADJ、LM2596S-12,以及LM2575S-5.0、LM2576S-5.0,广泛用于通信设备与消费电子;线性稳压器(LDO)方面,LM317与SL4949为供电提供了可靠保障;在功率器件领域,晶闸管(可控硅)系列如BTA16-800B、BTA12-600B、BTA41-800B、BTA08-800B,以及场效应管(MOSFET)SL9945、IRFR5305,共同构成了强大的功率处理阵容。

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