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产品名称：高压MOS管SL10N65F
产品概述：
高压MOS管SL10N65F是一款N沟道MOS场效应管，主要用于高压开关电源、电机控制、照明等领域。它具有漏源电压高、导通电阻小、工作可靠性好等特点。
产品参数：
- 类型：N沟道
- 漏源电压(Vdss)：650V
- 连续漏极电流(Id)：10A
- 功率(Pd)：41.8W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：940mΩ@10V,5A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250A
- 封装：TO-220F
产品特点：
1. 高漏源电压：漏源电压达到650V，适用于高压开关电源等应用场合。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为940mΩ，能够有效减小开关损耗，提高效率。
3. 良好的可靠性：使用高品质材料，具有较好的温度特性和抗压能力，能够在复杂的工作环境下稳定工作。
应用领域：
高压MOS管SL10N65F主要适用于高压开关电源、电机控制、照明等领域，广泛应用于家电、电力等行业。
注意事项：
1. 产品应在符合规定的条件下使用，避免在超过规定条件的情况下工作，以免对产品造成损害。
2. 在使用过程中应注意静电防护，避免产品受到静电干扰。
3. 产品应在指定的温度和湿度条件下存储，避免受潮和高温环境的影响。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
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SL30N50P高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-3P VDSS(V)： 500V Id(A)： 20A RDSON(Ω)： 180mΩ@10V VTH： - P/N： N沟道
SL4N65F高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 4A RDSON(Ω)： 2.6Ω@10V,2A VTH： 4.5V@250A P/N： N沟道
SL7N65F高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 7A RDSON(Ω)： 1.4Ω@10V,3.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N沟道
SL13N50FS高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 520mΩ@10V,6.5A VTH： 4V@250μA P/N： N沟道
SL18N50F高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 0.32Ω@10V,9A VTH： 4V@250μA P/N： N沟道
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品牌： 萨科微， Package： TO-252 VDSS(V)： 500V Id(A)： 5A RDSON(Ω)： 1.5Ω@10V,2.65A VTH： 3.5V@250μA P/N： N沟道
SL5N100D高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-252 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 5A RDSON(Ω)： 4.2Ω VTH： 3.5V@100μA P/N： N沟道
SL90N20P高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-247 VDSS(V)： 220V Id(A)： 80A RDSON(Ω)： 30mΩ@10V,95A VTH： 4.0V@250μA P/N： N沟道
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品牌： 萨科微， Package： TO-3PF VDSS(V)： 1500V Id(A)： 4A RDSON(Ω)： 5.8Ω@10V,1.3A VTH： 4.5V@250μA P/N： N沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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