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产品展示
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一、产品概述
FDN335N‑SL 是萨科微（Slkor）专为低压、小电流、高开关速度场景设计的 N 沟道增强型 MOSFET，采用高密度单元结构与 SOT‑23 微型贴片封装，具备极低导通电阻与优异直流载流能力。产品符合无铅、无卤素环保要求，主要用于低压负载开关、DC‑DC 电源转换、便携式设备电源管理等场景，是小功率系统中高效、可靠的开关与控制器件。
二、产品优势
- 极低导通电阻，损耗更小
高密度沟槽工艺，导通电阻低至0.055Ω（4.5V 驱动），小电流工作发热少、转换效率高。
- 低压驱动，适配 3.3V/5V 系统
2.5V 即可稳定驱动，完美匹配 MCU、锂电池供电等低压控制场景。
- 微型封装，节省布板空间
标准 SOT‑23 封装，体积小、重量轻，适合高密度、小型化 PCB 设计。
- 开关速度快，适合高频应用
栅电荷低、开关延迟短，适用于 DC‑DC、高频负载切换等场景。
- 全环保合规，适合量产
无铅（Pb‑Free）、无卤素（Halogen‑Free）、RoHS 合规，满足消费类与工业类设备要求。
- 稳定性强，宽温工作
工作结温‑50℃~150℃，参数一致性好，适合长期连续工作。
三、产品参数
1. 绝对最大额定值（Ta=25℃）
- 漏源击穿电压 VDS：20V
- 栅源电压 VGS：±12V
- 连续漏极电流 ID：1.7A
- 脉冲漏极电流 IDM：8A
- 最大功耗 PD：0.5W
- 结‑环境热阻 RθJA：250℃/W
- 工作结温 TJ：‑50℃~150℃
- 存储温度 TSTG：‑50℃~155℃
2. 静态电气特性（TJ=25℃）
- 栅极阈值电压 VGS (th)：0.4V~1.5V（典型 0.9V）
- 导通电阻 RDS (on)：
- VGS=4.5V、ID=1.7A：最大 0.07Ω（典型 0.055Ω）
- VGS=2.5V、ID=1.5A：最大 0.1Ω（典型 0.078Ω）
- 零栅压漏电流 IDSS：≤1μA
- 栅极漏电流 IGSS：±100nA
3. 动态电气特性
- 输入电容 CISS：310pF
- 总栅极电荷 Qg：3.5nC~5nC
- 开启延迟时间：5ns~15ns
- 关断延迟时间：11ns~20ns
4. 封装信息
- 封装形式：SOT‑23
- 引脚定义：G（栅极）、D（漏极）、S（源极）
- 环保等级：无铅、无卤素、RoHS
四、应用领域
- 便携式设备负载开关
- 锂电池供电系统电源管理
- DC‑DC 转换器、降压 / 升压模块
- 小功率电机驱动、电磁阀控制
- 消费类电子、手持设备电源通路
- 工业低压控制、传感器供电开关
- 小型 LED 驱动、背光控制
五、注意事项
- 栅极对静电与浪涌敏感，生产、测试、焊接必须做防静电措施。
- 驱动电压不可超过 **±12V**，防止栅极击穿。
- 连续电流不可超过1.7A，长时间大电流工作需加强散热。
- SOT‑23 封装需保证足够敷铜面积，提升散热与可靠性。
- 建议在栅极串联10Ω~100Ω电阻，抑制振荡与干扰。
- 不可用于 VDS＞20V 的高压场合，防止击穿损坏。
- 焊接温度遵循 SMT 标准，峰值温度＜260℃，时间＜10 秒。
- 设计时需预留过流、过压、反接保护，提升系统安全性。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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