萨科微slkor防静电二极管SLESD0522P

SLESD0522P防静电二极管

SLESD0522P是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口保护而设计。SLESD0522P典型电容仅为0.2pF（I/O到I/O），旨在保护对寄生效应敏感的系统，使其免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）4级标准（±15KV空气放电、±8KV接触放电）、IEC 61000 - 4 - 4（电气快速瞬变 - EFT）（40A，5/50ns）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。SLESD0522P采用超小型DFN1610 - 6L封装。每个SLESD0522P器件可保护两条高速数据线。超低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等综合特性，使SLESD0522P非常适合高速数据端口和高频线路（如HDMI和DVI）应用。SLESD0522P的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SLESD0522P

商品封装:DFN1610-6L

包装方式:编带

商品毛重:0.031633克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SLESD0522P 是一款双通道、超低电容、高速信号专用 ESD / 浪涌保护阵列，采用 DFN1610-6L 超小型封装，专为5V 高速差分信号接口提供静电、电快速瞬变、电缆放电等过压保护。器件 I/O 间典型电容仅0.2pF，不损耗高速信号完整性，可同时保护 2 路高速数据线路，完美适配 HDMI、USB 3.0、DVI 等高清高速接口。

二、产品优势

超低电容：I/O→I/O 典型 0.2pF，I/O→GND 典型 0.4pF，不影响高速信号
双通道保护：一颗芯片保护 2 路高速 I/O，节省空间与 BOM 成本
高等级 ESD 防护：支持 ±30kV 接触放电，满足 IEC 61000-4-2 Level 4
强抗浪涌：支持 EFT 40A (5/50ns)、CDE、CDM 多重浪涌防护
低钳位电压：对后端芯片应力极小，保护更可靠
超小封装：DFN1610-6L，适合高密度、超薄高速设备
宽温工作：-55℃~+125℃，工业级稳定耐用
无卤素环保：符合 RoHS，消费 / 工业设备通用

三、核心参数

反向工作电压 VRWM：5.0V
反向击穿电压 VBR：≥6.0V@1mA
反向漏电流 IR：≤100nA@5V
钳位电压 VC：10V@1A / 15V@4A
结电容 CESD：I/O→I/O 0.2pF (典型)；I/O→GND 0.4pF (典型)
ESD 等级：±30kV (接触)，±20kV (空气)
EFT：40A（5/50ns）
峰值脉冲功率：60W（8/20μs）
工作温度：-55℃ ~ +125℃
封装：DFN1610-6L

四、应用领域

高速接口：HDMI、USB 2.0/3.0/OTG、IEEE 1394、DVI
笔记本、机顶盒、投影、平板显示器
手机、平板、相机、便携高清设备
高速差分数据口、音视频数字接口
对信号完整性、PCB 空间要求极高的 5V 高速系统

五、注意事项

焊接温度最高260℃/10s，避免高温损坏器件。
安装时尽量靠近被保护接口放置，缩短走线提升防护效果。
不可超过最大额定值使用，否则会造成永久性失效。
属于静电敏感器件，生产、存储、装配需做好防静电措施。
适用于 5V 低压高速信号保护，不可用于高压强电系统。

名称

标题

说明

SLESD0522P DFN1610-6L.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！