产品展示
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SMUN5211DW数字晶体管

偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些独立组件集成到单个器件中来消除它们。BRT 器件采用 SOT-363 封装,非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SMUN5211DW

商品封装:SOT-363​

包装方式:编带

商品毛重:0.032克(g)

一、产品概述


SMUN5211DW 是一款NPN 型、内置偏置电阻的数字晶体管,采用 **SOT‑363(超小外形)** 封装。芯片内部集成基极串联电阻与基极 - 发射极电阻,无需外接偏置元件即可直接由逻辑电平驱动,具备低饱和压降、高开关速度、高可靠性的特点。专为空间紧凑、需简化电路设计的低压开关、信号驱动及控制场景打造,广泛适配消费电子、工业控制及通信设备等多种领域。

二、产品优势


  1. 内置电阻一体化设计:集成基极限流电阻,省略外部电阻,大幅减少 PCB 元件数量与布板面积,降低 BOM 成本与焊接复杂度。
  2. 超小型封装:SOT‑363 封装体积小巧,支持高密度贴装,特别适合轻薄型、空间受限的电子产品。
  3. 宽电压适配:集电极 - 发射极耐压VCEO 达 50V,兼容 3.3V、5V 等多种低压控制系统,应用场景灵活。
  4. 低功耗高效开关:饱和压降VCE (sat) 极低,开关损耗小,能量效率高,适合电池供电设备延长续航。
  5. 高速响应:具备较高特征频率,开关速度快,响应及时无延迟,适配高频脉冲信号切换场景。
  6. 易量产:支持波峰焊与回流焊工艺,卷带包装适配自动化生产线,提升生产效率。
  7. 环保高可靠:符合 RoHS 合规要求,宽温稳定工作,具备良好的抗干扰与关断可靠性。

三、核心参数


集电极 - 发射极耐压(VCEO):50V

集电极 - 基极耐压(VCBO):50V

发射极 - 基极耐压(VEBO):5V

集电极连续电流(IC):100mA

直流放大倍数(hFE):35~60(@VCE=10V, IC=5mA)

集电极 - 发射极饱和电压(VCE (sat)):≤0.25V(@IC=50mA, IB=5mA)

内置电阻:R1=10kΩ,R2=10kΩ

特征频率(fT):250MHz

总功耗(PD):200mW

工作温度:-55℃~+150℃

封装:SOT‑363

四、应用领域


  • 消费电子:智能手机、平板电脑、智能穿戴的按键控制、指示灯驱动及小型外设开关。
  • 智能家居:智能插座、传感器节点、小家电(如风扇、灯具)的低压开关与信号控制。
  • 工业控制:PLC I/O 接口、小型继电器驱动、工控板卡的电平转换与逻辑控制。
  • 通信设备:路由器、光模块、通信终端的信号开关与状态指示驱动。
  • 汽车电子:车内氛围灯、座椅调节辅助控制等低压车载电路(非车规级,需适配对应场景)。

五、注意事项


  1. 极性区分:SOT‑363 封装引脚定义为 1 脚基极 (B)、2 脚发射极 (E)、3 脚集电极 (C),安装时严禁反接,否则将导致器件损坏或功能失效。
  2. 额定限制:使用中严禁超过VCEO=50VIC=100mA最大功耗 PD=200mW的额定值,防止器件永久性失效或热击穿。
  3. 焊接规范:回流焊或波峰焊时,焊接温度最高260℃,持续时间不超过10 秒,避免高温损坏内部芯片与封装结构。
  4. 布局建议:应尽量靠近负载端放置,缩短走线长度以减少信号干扰,确保开关动作精准响应,提升电路稳定性。
  5. 防静电防护:本品属于半导体静电敏感器件,生产、搬运、装配全过程需严格执行防静电操作规程,防止静电击穿损坏器件。
名称
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