产品概述

产品优势

1. 中压适配，承载能力稳定：100V 漏源耐压精准匹配中压应用场景，2.3A 连续漏极电流与 9A 脉冲漏极电流（IDM）的设计，能满足中功率设备的供电与负载驱动需求，兼顾电压耐受与瞬时大电流承载能力，适配多种中压功率控制场景。
2. 低导通损耗，能效优异：采用高密度单元设计与沟槽工艺，导通电阻（RDS (ON)）优化设计，VGS=10V 时典型值仅 195mΩ、最大值 234mΩ；VGS=4.5V 时典型值 230mΩ、最大值 278mΩ，有效降低导通过程中的能量损耗，提升电路整体能效。
3. 开关响应迅速，动态性能佳：总栅极电荷仅 9.5nC，开启延迟时间低至 4ns，上升时间 17.5ns，关断延迟时间 13ns，下降时间 28ns，开关速度快，切换损耗小，完美适配高频 DC-DC 转换与快速功率切换场景。
4. 低耗稳定，可靠性高：栅极阈值电压范围窄（1.0V~2.5V），驱动需求低，易于与各类控制电路匹配；零栅压漏极电流仅 1μA，栅极体泄漏电流 ±100nA，静态功耗极低；工作结温可达 150℃，结 - 环境热阻 96℃/W（搭配 2 盎司铜的 1 平方英寸焊盘），散热性能良好，宽温域工作稳定性强。
5. 小封装易集成，环保量产友好：SOT-23 微型贴片封装，体积小巧节省 PCB 空间，适合便携式设备与高密度电路板设计；无铅、无卤素环保设计，符合 RoHS 标准，编带包装适配自动化贴片产线，焊接便捷，可大幅提升生产效率，降低装配成本。

产品参数（TJ=25℃，除非另有说明）

1. 漏源击穿电压（VDS/BV (BR) DSS）：100V（VGS=0V，ID=250μA）
2. 栅源电压（VGS）：±20V（绝对最大额定值）
3. 连续漏极电流（ID）：2.3A（VGS=10V，Tc=25℃）
4. 脉冲漏极电流（IDM）：9A（Tc=25℃）
5. 二极管连续正向电流（IS）：2.3A（Tc=25℃）
6. 最大功耗（PD）：1.3W（Tc=25℃）
7. 结 - 环境热阻（RθJA）：96℃/W（搭配 2 盎司铜的 1 平方英寸焊盘）
8. 工作结温（TJ）：最大值 150℃
9. 存储温度范围（TSTG）：-50℃~155℃
10. 栅极阈值电压（VGS (th)）：最小值 1.0V，典型值 1.8V，最大值 2.5V（VDS=VGS，ID=250μA）
11. 漏源导通电阻（RDS (ON)）：
    • VGS=10V、ID=2A 时：典型值 195mΩ，最大值 234mΩ
    • VGS=4.5V、ID=1A 时：典型值 230mΩ，最大值 278mΩ
    
    
12. 零栅压漏极电流（IDSS）：最大值 1μA（VDS=100V，VGS=0V）
13. 栅极体泄漏电流（IGSS）：±100nA（VGS=±20V，VDS=0V）
14. 动态特性（VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz）：
    • 输入电容（Ciss）：387pF
    • 输出电容（Coss）：30pF
    • 反向传输电容（Crss）：28pF
    
    
15. 开关特性（VDS=50V，ID=1.3A，VGS=10V，RG=1Ω）：
    • 开启延迟时间（td (on)）：4ns
    • 上升时间（tr）：17.5ns
    • 关断延迟时间（td (off)）：13ns
    • 下降时间（tf）：28ns
    
    
16. 栅极电荷量（VDS=50V，ID=2A，VGS=10V）：
    • 总栅极电荷（Qg）：9.5nC
    • 栅源电荷（Qgs）：1.8nC
    • 栅漏电荷（Qgd）：2nC
    
    
17. 源漏二极管正向电压（VSD）：最大值 1.2V（Tj=25℃，IS=2A）

应用领域

1. DC-DC 转换器：中压直流电压转换模块，如便携式电源、工业电源的电压调节电路，提升转换效率。
2. 电源管理系统：消费电子、工业控制设备的电源管理模块，负责功率分配与开关控制，保障供电稳定。
3. 消费电子设备：平板电脑、数码播放器、便携式照明设备的中压驱动与开关电路，适配小型化设计需求。
4. 物联网终端：中压供电的物联网传感器、无线通信模块的电源控制电路，兼顾低耗与稳定性能。
5. 工业控制外围电路：工业仪表、传感器模块的中压功率控制电路，适配宽温工作环境与中压供电场景。

注意事项

1. 电压电流限制：严禁超出绝对最大额定值使用，漏源电压不得超过 100V，栅源电压控制在 ±20V 以内，连续漏极电流不超过 2.3A，避免器件过应力永久性损坏。
2. 静电防护要求：MOS 管栅极绝缘层易受静电击穿，运输、装配过程中需使用防静电包装，引脚可临时短路；测试与焊接时，工作台、电烙铁、测试仪器需良好接地，避免栅极悬空或承受瞬时高压。
3. 焊接工艺规范：采用 SOT-23 封装焊接标准，电烙铁功率建议不超过 45W，焊接时间控制在 3 秒内，可通过镊子夹住管脚根部辅助散热，防止高温损坏器件；确保焊点质量，避免虚焊、短路。
4. 散热设计考量：器件最大功耗为 1.3W，高功率应用场景需预留足够散热空间，PCB 布局时建议采用 2 盎司铜的 1 平方英寸焊盘，优化敷铜设计，降低热阻，防止结温超过 150℃。
5. 驱动电路匹配：栅极驱动电压需匹配阈值范围（1.0V~2.5V），驱动电流需满足栅极电荷充放电需求，避免驱动不足导致开关损耗增大；建议在栅极串联合适电阻（如 1Ω），优化开关特性并抑制振荡。
6. 存储与环境防护：存储时需置于干燥、通风环境，温度控制在 - 50℃~155℃，防止器件受潮或引脚氧化；产品为无铅、无卤素设计，需与环保焊接工艺匹配。
7. 寄生二极管考量：器件内置寄生二极管，正向导通电压最大值 1.2V，可用于反向保护与续流，但在防反向供电场景需额外设计防护电路，避免能量浪费。