产品概述

产品优势

1. 低压高流，承载稳定：-100V 漏源耐压精准覆盖低压应用场景，-5A 连续漏极电流搭配 - 28A 脉冲漏极电流，二极管连续正向电流达 - 5A，续流性能优异，能满足中功率设备的供电与负载驱动需求，瞬时过载能力突出，适配多种低压功率控制场景。
2. 超低导通损耗，能效优异：依托分裂栅沟槽工艺，导通电阻（RDS (ON)）极致优化，VGS=-10V、ID=-8A 时典型值仅 155mΩ、最大值 200mΩ；VGS=-4.5V、ID=-6A 时典型值 170mΩ、最大值 250mΩ，有效降低导通过程中的能量损耗，提升电路整体能效。
3. 开关损耗极低，动态性能佳：总栅极电荷仅 26.5nC，栅源电荷 6nC、栅漏电荷 4nC，驱动损耗小；开启延迟时间 14ns、上升时间 45ns，开关响应迅速，切换损耗低，完美适配高频功率控制场景，能减轻驱动 IC 负担，提升系统运行效率。
4. 稳定可靠，一致性强：电气参数均匀性出色，栅极阈值电压范围窄（-1.0V~-3.0V，典型值 - 1.8V），驱动一致性优异；零栅压漏极电流仅 - 1.0μA，栅极体泄漏电流 ±100nA，静态功耗极低；宽温域工作稳定性强，能适应复杂工作环境，满足长期可靠运行需求。
5. 微型封装，易集成量产：采用 SOT-23-3L 微型贴片封装，极致节省 PCB 空间，适配高密度电路板布局与便携式设备小型化设计；编带包装适配自动化贴片产线，焊接便捷，可大幅提升生产效率，降低装配成本，符合消费电子量产需求。

产品参数（TJ=25℃，除非另有说明）

1. 绝对最大额定值

• 漏源击穿电压（VDS/BV (BR) DSS）：-100V（VGS=0V，ID=-250μA）
• 栅源电压（VGS）：±20V
• 连续漏极电流（ID）：-5A（Tc=25℃）
• 脉冲漏极电流（IDM）：-28A（Tc=25℃）
• 二极管连续正向电流（IS）：-5A（Tc=25℃）
• 最大功耗（PD）：1.8W（Tc=25℃）
• 结 - 环境热阻（RθJA）：315℃/W
• 工作结温（TJ）：最大值 150℃
• 存储温度范围（TSTG）：-50℃~155℃

2. 关键电气特性

• 栅极阈值电压（VGS (th)）：最小值 - 1.0V，典型值 - 1.8V，最大值 - 3.0V（VDS=VGS，ID=-250μA）
• 漏源导通电阻（RDS (ON)）：VGS=-10V、ID=-8A 时，典型值 155mΩ，最大值 200mΩ；VGS=-4.5V、ID=-6A 时，典型值 170mΩ，最大值 250mΩ
• 零栅压漏极电流（IDSS）：最大值 - 1.0μA（VDS=-100V，VGS=0V）
• 栅极体泄漏电流（IGSS）：±100nA（VGS=±20V，VDS=0V）
• 源漏二极管正向电压（VSD）：典型值 - 0.8V，最大值 - 1.2V（Tj=25℃，IS=-8A）

3. 动态与开关特性

• 动态特性（VDS=-50V，VGS=0V，f=1MHz）：输入电容（Ciss）1488pF，输出电容（Coss）39pF，反向传输电容（Crss）30pF
• 栅极电荷量（VDS=-50V，ID=-6A，VGS=-10V）：总栅极电荷（Qg）26.5nC，栅源电荷（Qgs）6nC，栅漏电荷（Qgd）4nC
• 开关特性（VDS=-50V，ID=-6A，VGS=-10V，RG=4.5Ω）：开启延迟时间（td (on)）14ns，上升时间（tr）45ns，关断延迟时间（td (off)）227ns，下降时间（tf）93ns

4. 封装参数

• 封装形式：SOT-23-3L（顶视引脚：D 漏极、G 栅极、S 源极）
• 封装尺寸（mm）：长度 2.820~3.020，宽度 2.650~2.950，高度 1.050~1.250

应用领域

1. 电源管理领域：开关电源、DC/DC 转换器、电源适配器等设备的功率控制模块，可作为主开关管提升电源转换效率，降低功耗，适配消费电子与工业控制设备的电源管理需求。
2. 便携式设备：智能手机、平板电脑、TWS 蓝牙耳机、便携式测试仪器等设备的电源控制电路，适配设备小型化、长续航设计需求，为设备稳定供电提供保障。
3. 其他低压场景：小型家电控制电路、LED 驱动电路、工业仪表的低压功率控制单元，以及各类对体积和功耗要求严苛的低压电子设备，适配多类低压应用需求。

注意事项

1. 电压电流限制：严禁超出绝对最大额定值使用，漏源电压不得低于 - 100V，栅源电压控制在 ±20V 以内，连续漏极电流不超过 - 5A，避免器件过应力永久性损坏。
2. 静电防护要求：MOS 管栅极绝缘层易受静电击穿，且封装微小更易受损，运输、装配过程中需使用防静电包装，引脚可临时短路；测试与焊接时，工作台、电烙铁、测试仪器需良好接地，操作人员佩戴防静电手环，避免栅极悬空或承受瞬时高压。
3. 焊接工艺规范：采用 SOT-23-3L 封装焊接标准，电烙铁功率建议不超过 30W，焊接时间控制在 2 秒内，可通过镊子夹住管脚根部辅助散热，防止高温损坏器件；封装引脚细小，需精准对位焊接，避免虚焊、短路。
4. 散热设计考量：器件最大功耗为 1.8W，结 - 环境热阻 315℃/W，高功率应用场景需预留足够散热空间，PCB 布局时优化敷铜设计，降低热阻，避免器件靠近其他发热元件，防止结温超过 150℃。
5. 驱动电路匹配：栅极驱动电压需匹配阈值范围（-1.0V~-3.0V），驱动电流需满足栅极电荷充放电需求，避免驱动不足导致开关损耗增大；建议在栅极串联合适电阻（如 4.5Ω），优化开关特性并抑制振荡。
6. 存储与环境防护：存储时需置于干燥、通风环境，温度控制在 - 50℃~155℃，防止器件受潮或引脚氧化；封装体积小，需避免存储过程中受压、碰撞，防止引脚变形或封装破损。
7. 寄生二极管考量：器件内置寄生二极管，正向导通电压最大值 - 1.2V，可用于反向保护与续流，但在高频大电流场景需评估其开关损耗，必要时额外搭配快恢复二极管优化性能。