产品概述

产品优势

1. 双管集成，集成度高：单芯片集成两颗独立 N 沟道 MOS 管，可同时实现双路功率控制，无需额外堆叠器件，大幅简化电路设计、节省 PCB 空间，适配高密度电路板布局需求，尤其适合对集成度要求较高的电源管理系统。
2. 中压高流，承载稳定：60V 漏源耐压精准覆盖中压应用场景，6.3A 连续漏极电流搭配 28A 脉冲漏极电流，二极管连续正向电流达 6.3A，续流性能优异，能满足中功率设备的供电与负载驱动需求，瞬时过载能力突出。
3. 超低导通损耗，能效优异：采用高单元密度设计与沟槽工艺，导通电阻（RDS (ON)）极致优化，VGS=10V、ID=6.3A 时典型值仅 22mΩ、最大值 30mΩ；VGS=4.5V、ID=5.7A 时典型值 30mΩ、最大值 40mΩ，有效降低导通过程中的能量损耗，提升电路整体能效。
4. 开关响应迅速，动态性能佳：总栅极电荷仅 26nC，栅源电荷 5.7nC、栅漏电荷 5.2nC，驱动损耗小；开启延迟时间 8.4ns、上升时间 8.5ns，关断延迟时间 36ns、下降时间 5ns，开关速度快，切换损耗低，完美适配高频功率切换场景。
5. 稳定可靠，防护全面：具备完全表征的雪崩电压与电流，抗冲击能力强，能有效承受雪崩与换流模式下的能量冲击；栅极阈值电压范围窄（1.2V~2.5V，典型值 1.7V），驱动一致性好；零栅压漏极电流仅 1μA，栅极体泄漏电流 ±100nA，静态功耗极低；结 - 环境热阻 60℃/W，散热性能良好，宽温域工作稳定性强。

产品参数（TJ=25℃，除非另有说明）

1. 漏源击穿电压（VDS/BV (BR) DSS）：60V（VGS=0V，ID=250μA）
2. 栅源电压（VGS）：±20V（绝对最大额定值）
3. 连续漏极电流（ID）：6.3A（Tc=25℃）
4. 脉冲漏极电流（IDM）：28A（Tc=25℃）
5. 二极管连续正向电流（IS）：6.3A（Tc=25℃）
6. 最大功耗（PD）：2W（Tc=25℃）
7. 结 - 环境热阻（RθJA）：60℃/W
8. 工作结温（TJ）：最大值 150℃
9. 存储温度范围（TSTG）：-50℃~155℃
10. 栅极阈值电压（VGS (th)）：最小值 1.2V，典型值 1.7V，最大值 2.5V（VDS=VGS，ID=250μA）
11. 漏源导通电阻（RDS (ON)）：
    • VGS=10V、ID=6.3A 时：典型值 22mΩ，最大值 30mΩ
    • VGS=4.5V、ID=5.7A 时：典型值 30mΩ，最大值 40mΩ
    
    
12. 零栅压漏极电流（IDSS）：最大值 1μA（VDS=60V，VGS=0V）
13. 栅极体泄漏电流（IGSS）：±100nA（VGS=±20V，VDS=0V）
14. 动态特性（VDS=30V，VGS=0V，f=1MHz）：
    • 输入电容（Ciss）：1050pF
    • 输出电容（Coss）：65pF
    • 反向传输电容（Crss）：55pF
    
    
15. 开关特性（VDD=30V，ID=10A，VGS=10V，RG=3Ω）：
    • 开启延迟时间（td (on)）：8.4ns
    • 上升时间（tr）：8.5ns
    • 关断延迟时间（td (off)）：36ns
    • 下降时间（tf）：5ns
    
    
16. 栅极电荷量（VDD=30V，ID=10A，VGS=10V）：
    • 总栅极电荷（Qg）：26nC
    • 栅源电荷（Qgs）：5.7nC
    • 栅漏电荷（Qgd）：5.2nC
    
    
17. 源漏二极管正向电压（VSD）：典型值 0.8V，最大值 1.2V（Tj=25℃，IS=10A）
18. 封装形式：SOP-8（引脚含双组 D1/D2 漏极、G1/G2 栅极、S1/S2 源极）

应用领域

1. 功率切换应用：各类电子设备的电源开关控制、功率分配单元的切换电路，如工业控制设备、消费电子的功率通断模块，实现低损耗功率切换。
2. 电源管理系统：DC/DC 转换器、电源适配器、储能电源的双路功率开关模块，提升电源转换效率与集成度，适配通信设备、工业控制设备的电源管理需求。
3. 消费电子驱动电路：小型电机驱动（如智能家电电机、微型风扇）、LED 驱动电路，适配高频控制与双路驱动需求，符合消费电子对小型化、高效率的要求。
4. 工业控制外围电路：工业仪表、传感器模块的中压功率控制电路，适配宽温工作环境与中功率供电需求，为工业控制系统提供稳定的功率支持。
5. 其他中压场景：电动自行车电源管理、物联网终端大功率供电电路，以及各类需要中压双路功率控制的电子设备，适配多类中压应用需求。

注意事项

1. 电压电流限制：严禁超出绝对最大额定值使用，漏源电压不得超过 60V，栅源电压控制在 ±20V 以内，连续漏极电流不超过 6.3A，避免器件过应力永久性损坏。
2. 静电防护要求：MOS 管栅极绝缘层易受静电击穿，运输、装配过程中需使用防静电包装，引脚可临时短路；测试与焊接时，工作台、电烙铁、测试仪器需良好接地，操作人员佩戴防静电手环，避免栅极悬空或承受瞬时高压。
3. 焊接工艺规范：采用 SOP-8 封装焊接标准，电烙铁功率建议 50W~60W，焊接时间控制在 5 秒内，避免高温长时间加热导致封装或内部芯片损坏；产品焊接温度最高为 260℃，请务必保证贴片加工温度不要超过 260℃，确保引脚焊接牢固，避免虚焊引发大电流下接触不良。
4. 散热设计考量：器件最大功耗为 2W，结 - 环境热阻 60℃/W，高功率应用场景需预留足够散热空间，PCB 布局时建议采用优化敷铜设计，降低热阻，防止结温超过 150℃。
5. 驱动电路匹配：栅极驱动电压需匹配阈值范围（1.2V~2.5V），驱动电流需满足栅极电荷充放电需求，避免驱动不足导致开关损耗增大；建议在栅极串联合适电阻（如 3Ω），优化开关特性并抑制振荡。
6. 存储与环境防护：产品必须进行密封真空包装，并建议放置在干燥柜中储存，在温度小于 30℃且湿度小于 60% 时，可达 12 个月；打开包装后，如未使用完，则剩余产品需进行抽真空并放置在干燥柜中保管；超期产品使用前必须进行去湿和去氧化处理。
7. 寄生二极管考量：器件内置寄生二极管，正向导通电压最大值 1.2V，可用于反向保护与续流，但在高频大电流场景需评估其开关损耗，必要时额外搭配快恢复二极管优化性能；双管独立工作时，需分别匹配驱动电路，确保同步或独立控制的稳定性。