一、产品优势

1. 先进工艺加持，核心性能优异：采用分裂栅沟槽 MOSFET 技术，实现低导通电阻（RDS (on)）与优质品质因数（FOM），VGS=-10V 时导通电阻最大仅 170mΩ，VGS=-4.5V 时最大 210mΩ，有效降低导通损耗，提升电路能效。
2. 开关损耗极低，工作效率更高：优化的动态电气特性让器件开关响应迅速，开启延迟时间 13ns、上升时间 20ns，关断延迟时间 22ns、下降时间 11ns，大幅减少开关过程中的能量损耗，适配高频工作场景。
3. 稳定性与均匀性出色：器件的电气参数一致性高，结温工作范围宽，且在不同电流、温度条件下导通电阻变化可控，长期工作可靠性强，能适应复杂的电路工作环境。
4. 高规格电气耐受，适用场景广：支持 ±20V 栅源电压，单脉冲雪崩能量达 72mJ，脉冲漏极电流最大可达 - 60A，具备优秀的过压、过流耐受能力，应对电路瞬时工况表现优异。
5. 环保封装设计，适配贴片工艺：采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装，引脚布局合理，适配自动化贴片生产，且产品无铅、无卤素，符合全球环保电子元器件应用标准。

二、核心产品参数

1. 绝对最大额定值（Ta/Tc=25℃，除非特别说明）

• 漏源击穿电压（VDS）：-100V
• 栅源电压（VGS）：±20V
• 最大结温（TJ）：150℃
• 存储温度范围（TSTG）：-50℃~155℃
• 二极管连续正向电流（IS）：-15A
• 脉冲漏极电流（IDM）：-60A
• 持续漏极电流（ID，VGS=10V）：-15A
• 最大功耗（PD）：72W
• 单脉冲雪崩能量（EAS）：72mJ

2. 关键电气特性（TJ=25℃，除非特别说明）

• 漏源击穿电压（BV (BR) DSS）：最小值 - 100V（测试条件：VGS=0V，ID=-250μA）
• 栅极阈值电压（VGS (th)）：最小值 - 1.0V，典型值 - 1.8V，最大值 - 3.0V（测试条件：VDS=VGS，ID=-250μA）
• 漏源导通电阻（RDS (on)）：典型值 105mΩ，最大值 170mΩ（测试条件：VGS=-10V，ID=-10A）；典型值 120mΩ，最大值 210mΩ（测试条件：VGS=-4.5V，ID=-5A）
• 总栅极电荷（Qg）：典型值 85nC（测试条件：VDS=-80V，ID=-10A，VGS=-10V）
• 源漏二极管正向电压（VSD）：典型值 - 0.8V，最大值 - 1.2V（测试条件：Tj=25℃，Is=-10A）
• 零栅压漏极电流（IDSS）：最大值 - 1.0μA（测试条件：VDS=-100V，VGS=0V）
• 栅极体泄漏电流（IGSS）：±100nA（测试条件：VGS=±20V，VDS=0V）

3. 动态电气特性（TJ=25℃，VDS=-25V，VGS=0V，f=1MHz）

• 输入电容（CISS）：3500pF
• 输出电容（COSS）：480pF
• 反向传输电容（CRSS）：340pF
• 开关特性（测试条件：VDS=-25V，ID=-10A，VGS=-10V，RG=3Ω）：开启延迟时间 13ns，上升时间 20ns，关断延迟时间 22ns，下降时间 11ns
• 栅极电荷量（测试条件：VDS=-80V，ID=-10A，VGS=-10V）：栅源电荷（Qgs）7nC，栅漏电荷（Qgd）18nC

三、应用领域

1. 电源管理领域：开关电源、DC-DC 转换器、电源适配器、锂电池保护板等，负责电源的通断控制与电压转换，提升电源模块效率。
2. 便携式设备：智能手机、平板电脑、TWS 蓝牙耳机、电子烟、手持游戏机、户外照明设备等，适配便携式设备的低功耗、小型化设计需求。
3. 其他中压功率控制场景：小型家电控制电路、智能穿戴设备电源模块、工业小型控制单元的功率开关等。

四、使用注意事项

1. 静电防护：MOS 管栅极对静电高度敏感，在器件拿取、焊接、安装和测试过程中，必须采取防静电措施，如佩戴防静电手环、使用防静电工作台和防静电包装，避免静电击穿栅极。
2. 温度与散热控制：器件最大结温为 150℃，实际应用中若工作在高电流、高功率工况，需保证良好的散热条件，可搭配散热片或导热硅胶，防止器件因过热损坏，同时避免焊接时高温长时间接触封装。
3. 电气参数匹配：使用时需严格控制漏源电压、栅源电压和导通电流在额定范围内，禁止超过绝对最大额定值，栅极驱动电压需匹配阈值电压（-1.0~-3.0V），确保器件正常导通与关断。
4. 电路设计规范：栅极建议增加下拉电阻，防止悬空时产生误触发；高频开关应用中，栅极串联电阻不宜过大，避免开关速度变慢导致额外损耗；若涉及感性负载（如电机），需考虑体二极管的反向续流保护，防止反向电动势损坏器件。
5. 封装与焊接：TO-252 封装为表面贴装形式，焊接时需严格控制贴片精度和焊接温度，遵循封装引脚定义（G 栅极、S 源极、D 漏极），避免引脚接反导致电路故障。
6. 存储条件：器件需在 - 50℃~155℃的干燥环境中存储，避免高温、高湿和腐蚀性环境，防止器件引脚氧化或电气性能衰减。